[发明专利]一种存储介质的块读取和页读取的转换测定方法

说明书

一种存储介质的块读取和页读取的转换测定方法，可以代替目前存储设备中使用的读次数计数方式。将页读取和块读取分开，通过适用当前生命周期和数据保持时间条件下的转换系数，将所有的块读取转换成页读取，以页读取次数代替之前的读次数技术方式。准确逼近存储介质能承受的读干扰影响。避免过多的块回收，对于SSD读性能有一定的提升作用。

技术领域

本发明涉及NAND Flash技术领域，具体涉及一种存储介质的块读取和页读取的转换测定方法。

背景技术

NAND Flash是一种非易失性存储器，在使用过程中由于本身的物理结构特性，在不同的擦写次数、温度、读干扰下，会产生不同的错误数，影响读性能。

其中读干扰的影响可以通过数据转移、块回收等操作完成规避，但由于操作的不可预见性，在不同的生命周期、不同数据保持时间下，读操作的页读取和块读取的影响也不同。目前大部分的做法是统一使用页读取的方式，直接统计页读次数，块读取不再统计。这样带来的问题是若存储介质在当前条件下进行的块读取可以等效成较多次数的页读取，那么实际的页读取可能超出当前条件下存储介质的纠正能力，有纠正失败的风险；若存储介质在当前条件下的块读取只能等效成较少次数的页读取，那么实际的页读取小于当前条件下存储介质的承受能力，形成过早的回收，影响读取性能。

发明内容

本发明为了克服以上技术的不足，提供了一种避免过多的块回收，对于SSD读性能有效提升的块读取和页读取的转换测定方法。

本发明克服其技术问题所采用的技术方案是：

一种存储介质的块读取和页读取的转换测定方法，包括如下步骤：

a)选择NAND Flash块，进行一次擦写操作；

b)读取NAND Flash块，将读取的块上的所有wordline，筛选出所有wordline中受读干扰影响大的wordline；

c)进行最大页读取次数测定：

c-1)对NAND Flash进行擦写磨损；

c-2)对NAND Flash进行数据保持；

c-3)使用所有筛选的受读干扰影响大的wordline进行页读操作，每M次页读后读取整个NAND Flas块上的数据；

c-4)如果一次读取的整个NAND Flas块上的数据的错误位数量超过70bit/kb则判定为纠正失败，如果一次读取的整个NAND Flas块上的数据的错误位数量小于等于70bit/kb则判定为纠正成功，所有纠正成功的读取的整个NAND Flas块的次数为PR；

d)进行最大块读次数测定：

d-1)对NAND Flash进行擦写磨损；

d-2)对NAND Flash进行数据保持；

d-3)对NAND Flash块进行读操作，每N次块读后读取整个NAND Flas块上的数据；d-4)如果一次读取的整个NAND Flas块上的数据的错误位数量超过70bit/kb则判定为纠正失败，如果一次读取的整个NAND Flas块上的数据的错误位数量小于等于70bit/kb则判定为纠正成功，所有纠正成功的读取的整个NAND Flas块的次数为BR；

e)通过公式α(p)_pe.ret.＝BR/PR计算得到块读取和页读取转换系数α(p)_pe.ret.。

优选的，步骤b)中读取NAND Flash块的次数为1000次-10000次。

进一步的，步骤b)中如一wordline的错误位数量超过所有wordline平均值的50％，则此wordline为受读干扰影响大的wordline。