[发明专利]一种存储介质的块读取和页读取的转换测定方法

权利要求书

1.一种存储介质的块读取和页读取的转换测定方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)选择NAND Flash块，进行一次擦写操作；

b)读取NAND Flash块，将读取的块上的所有wordline，筛选出所有wordline中受读干扰影响大的wordline；

c)进行最大页读取次数测定：

c-1)对NAND Flash进行擦写磨损；

c-2)对NAND Flash进行数据保持；

c-3)使用所有筛选的受读干扰影响大的wordline进行页读操作，每M次页读后读取整个NAND Flas块上的数据；

c-4)如果一次读取的整个NAND Flas块上的数据的错误位数量超过70bit/kb则判定为纠正失败，如果一次读取的整个NAND Flas块上的数据的错误位数量小于等于70bit/kb则判定为纠正成功，所有纠正成功的读取的整个NAND Flas块的次数为PR；

d)进行最大块读次数测定：

d-1)对NAND Flash进行擦写磨损；

d-2)对NAND Flash进行数据保持；

d-3)对NAND Flash块进行读操作，每N次块读后读取整个NAND Flas块上的数据；d-4)如果一次读取的整个NAND Flas块上的数据的错误位数量超过70bit/kb则判定为纠正失败，如果一次读取的整个NAND Flas块上的数据的错误位数量小于等于70bit/kb则判定为纠正成功，所有纠正成功的读取的整个NAND Flas块的次数为BR；

e)通过公式α(p)_pe.ret.＝BR/PR计算得到块读取和页读取转换系数α(p)_pe.ret.。

2.根据权利要求1所述的存储介质的块读取和页读取的转换测定方法，其特征在于：步骤b)中读取NAND Flash块的次数为1000次-10000次。

3.根据权利要求1所述的存储介质的块读取和页读取的转换测定方法，其特征在于：步骤b)中如一wordline的错误位数量超过所有wordline平均值的50％，则此wordline为受读干扰影响大的wordline。

4.根据权利要求1所述的存储介质的块读取和页读取的转换测定方法，其特征在于：步骤c-1)中擦写磨损次数为1000次或2000次或3000次或5000次或7000次或10000次。

5.根据权利要求1所述的存储介质的块读取和页读取的转换测定方法，其特征在于，步骤c-2)中数据保持为：在40℃下保持数据9天或27天或45天或81天或90天，步骤c-3)中M取值为10000，页读读取次数总数设定为10000000。

6.根据权利要求1所述的存储介质的块读取和页读取的转换测定方法，其特征在于：步骤d-1)中擦写磨损次数为1000次或2000次或3000次或5000次或7000次或10000次。

7.根据权利要求1所述的存储介质的块读取和页读取的转换测定方法，其特征在于，步骤d-2)中数据保持为：在40℃下保持数据9天或27天或45天或81天或90天，步骤d-3)中N取值为500，页读读取次数总数设定为20000。