[发明专利]利用负电感消除寄生电感的振荡抑制电路及方法

权利要求书

1.一种利用负电感消除寄生电感的振荡抑制电路，其特征在于，所述振荡抑制电路包括SiC MOSFET管Q1、SiC MOSFET管Q2、耦合线圈、寄生电感以及负电感模拟器；所述SiCMOSFET管Q2的漏极与所述耦合线圈的一次侧电感的第一端连接，所述耦合线圈的一次侧电感的第二端通过寄生电感与直流母线正极连接；所述SiC MOSFET管Q2的源极与所述SiCMOSFET管Q1的漏极连接，所述SiC MOSFET管Q1的源极与直流母线负极连接；所述耦合线圈的二次侧电感与所述负电感模拟器串联构成二次侧回路；

所述负电感模拟器的等效电感与所述耦合线圈、寄生电感之间的关系式为：

；

其中，L_eq为负电感模拟器的等效电感，M为耦合线圈的一次侧电感与二次侧电感之间的互感，L_loop为寄生电感，L₁为耦合线圈的一次侧电感，L₂为耦合线圈的二次侧电感。

2.根据权利要求1所述的利用负电感消除寄生电感的振荡抑制电路，其特征在于，所述负电感模拟器包括运算放大器、电阻R1~R4以及电容C；所述运算放大器的反相输入端通过电阻R2与电阻R3的第一端连接，所述运算放大器的同相输入端通过电阻R1与电阻R3的第一端连接，所述电阻R3的第一端还与所述耦合线圈的二次侧电感的第一端连接，所述运算放大器的同相输入端还依次通过电容C、电阻R4与所述耦合线圈的二次侧电感的第二端连接，所述电阻R3的第二端、运算放大器的输出端分别与所述耦合线圈的二次侧电感的第二端连接。

3.根据权利要求2所述的利用负电感消除寄生电感的振荡抑制电路，其特征在于，所述运算放大器采用运算跨阻放大器，所述运算跨阻放大器是基于电流反馈运算放大器来搭建的，所述运算跨阻放大器包括第一电流反馈运算放大器和第二电流反馈运算放大器，所述第一电流反馈运算放大器的负电源端与所述第二电流反馈运算放大器的反相输入端连接，所述第一电流反馈运算放大器的反相输入端作为运算跨阻放大器的同相输入端，所述第二电流反馈运算放大器的反相输入端作为运算跨阻放大器的反相输入端，所述第二电流反馈运算放大器的输出端作为运算跨阻放大器的输出端。

4.根据权利要求3所述的利用负电感消除寄生电感的振荡抑制电路，其特征在于，所述第一电流反馈运算放大器和第二电流反馈运算放大器均选用型号为AD844系列的放大器。

5.根据权利要求2所述的利用负电感消除寄生电感的振荡抑制电路，其特征在于，所述运算放大器采用运算跨阻放大器，所述运算跨阻放大器是基于CMOS管来搭建的。

6.根据权利要求2所述的利用负电感消除寄生电感的振荡抑制电路，其特征在于，所述负电感模拟器的等效电感L_eq的计算公式为：

或；

其中，C为电容C的容值，R₁为电阻R1的阻值，R₂为电阻R2的阻值，R₃为电阻R3的阻值。