[发明专利]一种具有新型馈电结构的宽带低剖面双极化Vivaldi天线单元

权利要求书

1.一种具有新型馈电结构的宽带低剖面双极化Vivaldi天线单元，其特征在于，包括金属地板(3)、介质馈电层(2)、金属天线单元(1)以及两个射频连接器(4)；所述金属天线单元(1)包括两个互相垂直的单极化单元，单元结构相同，且两个单极化单元相互连接且共用金属柱，所述单极化单元包括渐变槽(12)、均匀直线槽(13)、匹配腔(14)和楔形尖顶(11)；所述介质馈电层(2)设置在金属地板(3)与金属天线单元(1)之间，所述两个射频连接器(4)穿过金属地板(3)；所述介质馈电层包括Teflon介质层(22)与矩形金属贴片(21)，所述矩形金属贴片(21)位于Teflon介质层(22)与均匀直线槽(13)上表面相接处，所述射频连接器(4)的探针穿过Teflon介质层(22)与矩形金属贴片(21)相连，矩形金属贴片(21)又与金属天线单元(1)的均匀直线槽相连以进行馈电，两个射频连接器(4)的探针穿过介质馈电层(2)为两个单极化单元一一对应馈电。

2.根据权利要求1所述的具有新型馈电结构的宽带低剖面双极化Vivaldi天线单元，其特征在于，渐变槽(12)在单极化单元纵向中轴线的两侧，槽线的起始端为单极化单元和介质馈电层(2)上表面的相接处，槽线开口向其起始段相对的另一方向渐渐变大；从渐变槽(12)的起始端处开始向共用金属柱方向开槽形成平行于金属地板的均匀直线槽(13)；所述匹配腔(14)设置在渐变槽(12)靠近公用金属柱的一侧且与均匀直线槽(13)连通。

3.根据权利要求2所述的具有新型馈电结构的宽带低剖面双极化Vivaldi天线单元，其特征在于，所述匹配腔(13)为梯形，通过均匀直线槽(13)与渐变槽(12)相连。

4.根据权利要求2所述的具有新型馈电结构的宽带低剖面双极化Vivaldi天线单元，其特征在于，所述渐变槽(12)具有三段斜率不同的直线渐变线，且开口率由一端向另一端逐渐变大。

5.根据权利要求1所述的具有新型馈电结构的宽带低剖面双极化Vivaldi天线单元，其特征在于，所述Teflon介质层(22)位于金属天线单元(1)和金属地板(3)之间的部分，仅保留位于均匀直线槽(13)内的部分介质，其余部分被挖去，使得金属天线单元(1)与金属地板(3)连接。