[发明专利]一种Nd-Fe-B基永磁薄膜及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202310642908.1 | 申请日： | 2023-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN116580910A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张健;黄景彬;廖诗杰;沈保根 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nd fe 永磁 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种Nd-Fe-B基永磁薄膜，所述Nd-Fe-B基永磁薄膜位于基底表面，其特征在于，所述Nd-Fe-B基永磁薄膜包括依次形成于基底上的Ta缓冲层、Nd-Fe-B层和Ta覆盖层，所述Ta缓冲层的热膨胀系数介于基底和Nd-Fe-B层的热膨胀系数之间，厚度为230-1000nm。
2.根据权利要求1所述的Nd-Fe-B基永磁薄膜，其特征在于，所述的基底为Si(100)，所述的Ta覆盖层的厚度为1-1000nm。
3.根据权利要求1或2所述的Nd-Fe-B基永磁薄膜，其特征在于，所述的Nd-Fe-B基永磁薄膜的厚度为1-100μm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的Nd-Fe-B基永磁薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)采用磁控溅射技术，氩气为溅射气体，对基片表面进行离子轰击，得到基底；
(2)采用磁控溅射技术，氩气为溅射气体，以Ta靶为靶材，在基底表面溅射沉积Ta缓冲层；
(3)采用磁控溅射技术，氩气为溅射气体，以Nd-Fe-B基复合材料为靶材，在Ta缓冲层表面溅射沉积Nd-Fe-B层；
(4)采用磁控溅射技术，氩气为溅射气体，以Ta靶为靶材，在Nd-Fe-B层表面沉积Ta覆盖层；
(5)将步骤(4)得到的Nd-Fe-B基永磁薄膜进行热处理。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述的氩气压强为0.6-1.6Pa，溅射功率为100-160W，溅射时间为5-35min。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述的氩气压强为0.8-1.2Pa，溅射功率为120-160W，溅射时间为1-300min。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述的氩气压强为0.6-1.6Pa，溅射功率为100-160W，溅射时间为5-35min。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，所述的Nd-Fe-B基永磁薄膜的热处理温度为300-1000℃。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述的Nd-Fe-B基永磁薄膜的热处理时间为1-40min。
10.根据权利要求1-3中任一项所述的Nd-Fe-B基永磁薄膜在微电子和微机电系统中的应用。
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