[发明专利]基于环形偶极共振的EIT谐振器在审

专利信息
申请号: 202310641743.6 申请日: 2023-06-01
公开(公告)号: CN116487859A 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 舒昌;陈丽颖 申请(专利权)人: 哈尔滨学院
主分类号: H01P7/08 分类号: H01P7/08;H01P7/00;H01Q15/00
代理公司: 哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司 23213 代理人: 于歌
地址: 150080 黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 环形 共振 eit 谐振器
【权利要求书】:

1.基于环形偶极共振的EIT谐振器,其特征在于,包括多个谐振单元拼接形成的阵列;

每个谐振单元包括位于矩形SiO2衬底上的两个混合条形带和一个中心开口的谐振环;

中心开口的谐振环的中心与矩形SiO2衬底的中心重合,且中心开口的谐振环位于两个混合条形带之间,并与混合条形带间存在间隙,两个混合条形带交错设置;

位于上方的混合条形带从左至右依次由1号光敏硅条带、1号铝条带和1号二氧化钒条带拼接形成;

位于下方的混合条形带从左至右依次由2号二氧化钒条带、2号铝条带和2号光敏硅条带拼接形成。

2.根据权利要求1所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器,其特征在于,中心开口的谐振环采用铝制成。

3.根据权利要求1所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器,其特征在于,中心开口的谐振环包括一个圆环和两个矩形条;

圆环的中心作为中心开口的谐振环的中心;

两个矩形条均位于圆环内部,两个矩形条的固定端均固定在圆环的内环上,两个矩形条间存在间距,且二者的连线垂直于矩形SiO2衬底的底边。

4.根据权利要求1所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器,其特征在于,1号光敏硅条带和2号光敏硅条带的电导率利用入射光的强度进行调节,且光敏硅条带的电导率的调节范围为从10s/m到3×105s/m;

1号二氧化钒条带和2号二氧化钒条带的相对电导率利用温度进行调节,且二氧化钒条带的相对电导率的调节范围为从1000s/m到2×105s/m。

5.根据权利要求3所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器,其特征在于,每个谐振单元中,Px=200μm,Py=120μm,Ln1=30μm,Ln2=30μm,Ln3=33.5μm,Lm1=40μm,Lm2=20μm,Lm3=23.5μm,R1=25μm,R2=15μm,g=4μm,s1=65μm,s2=41.5μm,w1=10μm,w2=10μm;

其中,Px为矩形SiO2衬底的长度,Py为矩形SiO2衬底的宽度,Ln1为1号铝条带的长度,Ln2为1号光敏硅条带的长度,Ln3为1号二氧化钒条带的长度,Lm1为2号铝条带的长度,Lm2为2号光敏硅条带的长度,Lm3为2号二氧化钒条带的长度,R1为圆环的外径,R2为圆环的内径,g为两个矩形条间的间距,s1为位于上方的混合条形带距离矩形SiO2衬底的左边框的间距,s2为位于下方的混合条形带距离矩形SiO2衬底的左边框的间距,w1为矩形条的宽度,w2为混合条形带的宽度。

6.根据权利要求5所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器,其特征在于,每个谐振单元中,d=27μm,其中,d为圆环的圆心距离位于上方的混合条形带间的距离。

7.根据权利要求1所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器,其特征在于,两个混合条形带的厚度均为5μm,矩形SiO2衬底的厚度均为10μm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨学院,未经哈尔滨学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310641743.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top