[发明专利]基于环形偶极共振的EIT谐振器在审
申请号: | 202310641743.6 | 申请日: | 2023-06-01 |
公开(公告)号: | CN116487859A | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 舒昌;陈丽颖 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨学院 |
主分类号: | H01P7/08 | 分类号: | H01P7/08;H01P7/00;H01Q15/00 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司 23213 | 代理人: | 于歌 |
地址: | 150080 黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 环形 共振 eit 谐振器 | ||
1.基于环形偶极共振的EIT谐振器,其特征在于,包括多个谐振单元拼接形成的阵列;
每个谐振单元包括位于矩形SiO2衬底上的两个混合条形带和一个中心开口的谐振环;
中心开口的谐振环的中心与矩形SiO2衬底的中心重合,且中心开口的谐振环位于两个混合条形带之间,并与混合条形带间存在间隙,两个混合条形带交错设置;
位于上方的混合条形带从左至右依次由1号光敏硅条带、1号铝条带和1号二氧化钒条带拼接形成;
位于下方的混合条形带从左至右依次由2号二氧化钒条带、2号铝条带和2号光敏硅条带拼接形成。
2.根据权利要求1所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器,其特征在于,中心开口的谐振环采用铝制成。
3.根据权利要求1所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器,其特征在于,中心开口的谐振环包括一个圆环和两个矩形条;
圆环的中心作为中心开口的谐振环的中心;
两个矩形条均位于圆环内部,两个矩形条的固定端均固定在圆环的内环上,两个矩形条间存在间距,且二者的连线垂直于矩形SiO2衬底的底边。
4.根据权利要求1所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器,其特征在于,1号光敏硅条带和2号光敏硅条带的电导率利用入射光的强度进行调节,且光敏硅条带的电导率的调节范围为从10s/m到3×105s/m;
1号二氧化钒条带和2号二氧化钒条带的相对电导率利用温度进行调节,且二氧化钒条带的相对电导率的调节范围为从1000s/m到2×105s/m。
5.根据权利要求3所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器,其特征在于,每个谐振单元中,Px=200μm,Py=120μm,Ln1=30μm,Ln2=30μm,Ln3=33.5μm,Lm1=40μm,Lm2=20μm,Lm3=23.5μm,R1=25μm,R2=15μm,g=4μm,s1=65μm,s2=41.5μm,w1=10μm,w2=10μm;
其中,Px为矩形SiO2衬底的长度,Py为矩形SiO2衬底的宽度,Ln1为1号铝条带的长度,Ln2为1号光敏硅条带的长度,Ln3为1号二氧化钒条带的长度,Lm1为2号铝条带的长度,Lm2为2号光敏硅条带的长度,Lm3为2号二氧化钒条带的长度,R1为圆环的外径,R2为圆环的内径,g为两个矩形条间的间距,s1为位于上方的混合条形带距离矩形SiO2衬底的左边框的间距,s2为位于下方的混合条形带距离矩形SiO2衬底的左边框的间距,w1为矩形条的宽度,w2为混合条形带的宽度。
6.根据权利要求5所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器,其特征在于,每个谐振单元中,d=27μm,其中,d为圆环的圆心距离位于上方的混合条形带间的距离。
7.根据权利要求1所述的基于环形偶极共振的EIT谐振器,其特征在于,两个混合条形带的厚度均为5μm,矩形SiO2衬底的厚度均为10μm。
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