[发明专利]一种提升二氧化锆材料稳定性的方法在审
申请号: | 202310636700.9 | 申请日: | 2023-05-31 |
公开(公告)号: | CN116579178A | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 伏春平 | 申请(专利权)人: | 重庆文理学院 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;G06F119/02 |
代理公司: | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人: | 冉剑侠 |
地址: | 401331 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提升 氧化锆 材料 稳定性 方法 | ||
本发明涉及二氧化锆材料稳定性研究技术领域,公开了一种提升二氧化锆材料稳定性的方法,包括步骤一,构建掺杂二氧化锆材料结构的物理模型;得到电子结构;步骤二,获得电子状态;并得到掺杂二氧化锆材料结构的能带结构;步骤三,得出掺杂二氧化锆材料结构的电子态密度和费米能,得到电子之间相互影响关系,同时得到电子与导电率的关联关系;步骤四,根据关联关系得出掺杂参数和温度值的最佳值。本申请将二氧化锆材料本征结构与掺杂结构相结合,充分考虑了掺杂结构带来的掺杂效应,并通过建立准确的物理模型,得到精准的电子结构,从而得到掺杂结构的稳定性影响关系,从而有效提高掺杂二氧化锆材料的稳定性。
技术领域
本发明涉及二氧化锆材料稳定性研究技术领域,具体涉及一种提升二氧化锆材料稳定性的方法。
背景技术
二氧化锆(ZrO2)是锆的主要氧化物,其具有良好的电学、化学和热力学稳定性,现已普遍作为宽带隙材料。同时二氧化锆的稳定结构决定了其在氧传感器、固体氧化物燃料电池、催化转换器等方面的应用价值。同时二氧化锆良好的低热导率、耐腐蚀性、良好的热稳定性也决定了它是代替二氧化硅作为金属氧化物薄膜晶体管的不二之选。
虽然现在已有大量的学者对二氧化锆材料进行了研究,使二氧化锆材料在相应物理性质上得到了一定程度的提升,但其稳定性、可靠性,特别是电学性能的稳定性还是不能很好的满足特殊领域的使用需求。导致二氧化锆材料在某些特殊领域依然无法很好的被应用。
因此,针对二氧化锆材料在电学性能方面还不够稳定的问题,现提出一种提升二氧化锆材料稳定性的方法。
发明内容
本发明意在提供一种提升二氧化锆材料稳定性的方法,以解决二氧化锆材料在电学性能方面稳定性不够的问题。
为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:
本发明用于提高二氧化锆材料在电学性能方面的稳定性,具体包括以下步骤:
步骤一,构建掺杂二氧化锆材料结构的物理模型;所述物理模型包括二氧化锆材料本征结构和掺杂结构;并根据物理模型得到掺杂二氧化锆材料结构的电子结构;
步骤二,根据电子结构获得掺杂二氧化锆材料结构的电子状态;并分析出电子之间的运动规律,从而得到掺杂二氧化锆材料结构的能带结构;
步骤三,根据能带结构分析得出掺杂二氧化锆材料结构的电子态密度和费米能,得到电子之间相互影响关系,同时得到电子与导电率的关联关系;
步骤四,根据关联关系得出掺杂参数和温度值的最佳值。
本方案的原理及优点是:从微观的角度建立掺杂二氧化锆材料的物理模型,从而保证物理模型构建的精准度,保证电子结构的准确度,为分析打下基础。并且,物理模型包括二氧化锆材料本征结构和掺杂结构,充分考量了掺杂结构带来的掺杂效应,进而得到更精准的电子运动规律,从而得到掺杂二氧化锆材料结构的能带结构,从能带结构中分析出电子态密度和费米能,进而得到电子与导电率的关联关系,从而可得到掺杂结构与稳定性的影响,进而获得掺杂结构的最佳掺杂参数值,进而提高掺杂二氧化锆材料的电学稳定性。
而一般在分析掺杂二氧化锆材料稳定性时,都会从宏观的角度去分析稳定性提升的方式,如从掺杂的比例、掺杂浓度、掺杂温度以及掺杂元素等方式,因为一般都会认为掺杂的结构不同就会带来完全不同的反应,因此只能以未掺杂的二氧化锆材料作为起点,通过设置不同的掺杂参数来提升掺杂二氧化锆材料的稳定性。而本申请就克服了惯有的宏观角度思维,而是直接从微观角度对掺杂二氧化锆材料结构进行分析,将二氧化锆材料本征结构和掺杂结构作为一个整体进行分析,同时又能精准的将本征结构与掺杂结构进行区分,充分考虑了掺杂结构带来的掺杂效应,进而反向获得掺杂结构稳定性的影响,进而获得提升稳定性的方式。
优选的,作为一种改进,所述物理模型根据掺杂二氧化锆材料的形貌和微观结构构建。
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