[发明专利]一种高稳定涂层材料的制备方法

权利要求书

1.一种高稳定涂层材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）选用阀金属为基材，对其进行表面预处理；

（2）以阀金属为阳极，通过阳极氧化处理，在其表面获得多孔氧化阵列：阳极氧化使用的电解液组成如下：10-20g/L H₂SO₄、100-120g/L柠檬酸，温度2-10℃，电流密度25-35mA/cm²条件下恒电流处理10-15min，150-200rpm搅拌，然后5-10s内降低电流密度2-3 mA/cm²持续2-3min；

（3）带电取出步骤（2）中的阀金属，并作为阴极直接浸泡于电聚合电解液中，在浸泡期间内，使用手持式超声波细胞破碎仪震动阴极附近电解液1-2min；

（4）切换电源方向，使步骤（3）中的阀金属为阳极，在恒电流条件，于步骤（3）中的电聚合电解液中进行噻吩聚合反应形成聚噻吩类化合物膜，所述电流密度为步骤（2）中电流密度的0.2-0.3倍；

所述电聚合电解液组成如下：10-12mM噻吩类单体、0.05-0.1M硫酸、0.1-0.2M高氯酸锂、体积比为1:（0.1-0.2）乙醇和去离子水组成，温度为15-20℃，时间为20-30min；

（5）于30-35℃真空烘箱中干燥处理12-24h 。

2.如权利要求1所述的一种高稳定涂层材料的制备方法，其特征在于噻吩类单体的结构式如下：，R₁和R₂选自氢、烷基、烷氧基或二氧亚烷基。

3.如权利要求2所述的一种高稳定涂层材料的制备方法，其特征在于R₁和R₂选自氢、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基或亚乙基二氧基。

4.如权利要求1所述的一种高稳定涂层材料的制备方法，其特征在于噻吩类单体选自噻吩、3-己基噻吩、3，4-二己基噻吩、3，4-二甲氧基噻吩、3，4-二己基氧基噻吩、3，4-亚甲基二氧基噻吩、3，4-亚乙基二氧基噻吩、3，4-亚丙基二氧基噻吩。

5.如权利要求1所述的一种高稳定涂层材料的制备方法，其特征在于表面预处理包括有机械打磨、去离子水冲洗、丙酮超声清洗、去离子水冲洗、30-35℃下真空干燥。

6.如权利要求1所述的一种高稳定涂层材料的制备方法，其特征在于所述步骤（2）获得的氧化膜的厚度10-15微米，孔径110-120nm。

7.如权利要求1所述的一种高稳定涂层材料的制备方法，其特征在于所述聚噻吩类化合物膜厚度3-10μm。

8.如权利要求1所述的一种高稳定涂层材料的制备方法，其特征在于阀金属选自铝合金、镁合金、钛合金和不锈钢。

9.如权利要求1所述的一种高稳定涂层材料的制备方法，其特征在于手持式超声波细胞破碎仪的频率为20-25KHz，功率为10-250W。