[发明专利]多级串联高压大功率消耗式负载电路、负载及设备在审

专利信息
申请号: 202310578090.1 申请日: 2023-05-22
公开(公告)号: CN116643612A 公开(公告)日: 2023-08-25
发明(设计)人: 请求不公布姓名 申请(专利权)人: 湖南恩智测控技术有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 王本晋
地址: 410205 湖南省长沙市高新开*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 多级 串联 高压 大功率 消耗 负载 电路 设备
【说明书】:

发明公开了一种多级串联高压大功率消耗式负载电路、负载及设备,负载电路包括电源端、编程信号输出端、MOS管单元、采样电路和误差放大器,通过多个依次串联的MOS管构成MOS管单元,MOS管单元通过多个MOS管分压的模式降低单管的VDS的电压值,从而实现串联分摊功率的目的,可以采用多个成本较低的MOS管来应对高压环境,降低高压应用的门槛和成本,同时也可以串联后并联实现几十千瓦以上的功率吸收,满足高压大功率消耗式电子负载的使用需求。控制电路简单,多级MOS串联仅需要一个控制环路,对局部的耐压要求不高,不需要额外选用耐高压电路,大大降低了成本。整体的结构简单、选型范围广并且成本低。

技术领域

本发明涉及电子负载领域,特别涉及一种多级串联高压大功率消耗式负载电路、负载及设备。

背景技术

电子负载是通过控制MOSFET或晶体管的导通量,依靠功率管的耗散功率消耗电能的设备,在开关电源的调试检测中是不可缺少的。

目前主流的电子负载都是通过放大器和采样电子及MOSFET或晶体管构成一个恒流电路,之后把MOSFET分别并联连接起来,形成恒流环路并联的控制方式,最后通过统一的编程信号来平均分配电流,最终实现大功率的电子负载方式。

上述大功率的电子负载通过多级并联实现,每个恒流环路都需要大量的闭环控制电路,同时在高压的电子负载应用中,每个MOSFET都需要采用符合要求的高压MOS管,还需要额外配置耐高压电路,此外对于PCB板的安全间隙都有一定的局限性,高压MOS管的成本高、价格昂贵、可选择范围少,因此整体的结构复杂、选型范围小并且成本高。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种方多级串联高压大功率消耗式负载电路、负载及设备,整体的结构简单、选型范围广并且成本低。

根据本发明第一方面实施例的多级串联高压大功率消耗式负载电路,包括:

电源端,用于输出电源;编程信号输出端,用于输出编程信号;MOS管单元,所述MOS管单元包括多个相同且依次串联的MOS管,多个所述MOS管中前级MOS管的源极连接所述后级MOS管的漏极,最前端的所述MOS管的漏极连接电源端,最末端的所述MOS管的源极通过采样电路接地;多个与MOS管一一对应的均压电阻,所述MOS管的栅极通过对应所述均压电阻连接前级MOS管的栅极,最前端的所述MOS管的栅极通过对应所述均压电阻连接电源端;误差放大器,所述误差放大器的同相端连接所述编程信号输出端,所述采样电路的信号输出端连接所述误差放大器的反相端,所述误差放大器的输出端连接所述MOS管单元中最末端的所述MOS管的栅极。

根据本发明第一方面实施例的多级串联高压大功率消耗式负载电路,至少具有如下有益效果:本发明实施方式中通过多个依次串联的MOS管构成MOS管单元,MOS管单元通过多个MOS管分压的模式降低单管的VDS的电压值,从而实现串联分摊功率的目的,这样也降低了MOS管的使用门槛,可以采用多个成本较低的MOS管来应对高压环境,无需采购成本较高的单个高压MOS管,可以降低高压应用的门槛和成本,同时也可以串联后并联实现几十千瓦以上的功率吸收,满足高压大功率消耗式电子负载的使用需求。本发明采用MOS管串联,控制电路简单,大大节省了MOS的控制电路,多级MOS串联仅需要一个控制环路,同时串联的MOS都是均匀分压的,对局部的耐压要求不高,其他器件和PCB安全间隙正常处理即可,不需要额外选用耐高压电路,大大降低了成本。整体的结构简单、选型范围广并且成本低。

根据本发明的一些实施例,所述采样电路包括采样电阻和差分放大器,所述采样电阻的一端连接最末端的所述MOS管的源极,所述采样电阻的另一端接地,所述差分放大器的同相端连接最末端的所述MOS管和所述采样电阻的公共端,所述差分放大器的反相端连接所述采样电阻的接地端,所述差分放大器的输出端连接所述误差放大器的反相端。

根据本发明的一些实施例,所述编程信号输出端为DAC模块。

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