[发明专利]多级串联高压大功率消耗式负载电路、负载及设备在审
| 申请号： | 202310578090.1 | 申请日： | 2023-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN116643612A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 湖南恩智测控技术有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 王本晋 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多级 串联 高压 大功率 消耗 负载 电路 设备 | ||
1.一种多级串联高压大功率消耗式负载电路，其特征在于，包括：
电源端，用于输出电源；
编程信号输出端，用于输出编程信号；
MOS管单元，所述MOS管单元包括多个相同且依次串联的MOS管，多个所述MOS管中前级MOS管的源极连接所述后级MOS管的漏极，最前端的所述MOS管的漏极连接电源端，最末端的所述MOS管的源极通过采样电路接地；
多个与MOS管一一对应的均压电阻，所述MOS管的栅极通过对应所述均压电阻连接前级MOS管的栅极，最前端的所述MOS管的栅极通过对应所述均压电阻连接电源端；
误差放大器，所述误差放大器的同相端连接所述编程信号输出端，所述采样电路的信号输出端连接所述误差放大器的反相端，所述误差放大器的输出端连接所述MOS管单元中最末端的所述MOS管的栅极。
2.根据权利要求1所述的多级串联高压大功率消耗式负载电路，其特征在于，所述采样电路包括采样电阻和差分放大器，所述采样电阻的一端连接最末端的所述MOS管的源极，所述采样电阻的另一端接地，所述差分放大器的同相端连接最末端的所述MOS管和所述采样电阻的公共端，所述差分放大器的反相端连接所述采样电阻的接地端，所述差分放大器的输出端连接所述误差放大器的反相端。
3.根据权利要求1所述的多级串联高压大功率消耗式负载电路，其特征在于，所述编程信号输出端为DAC模块。
4.根据权利要求1所述的多级串联高压大功率消耗式负载电路，其特征在于，还包括MCU，所述MCU连接所述编程信号输出端以用于发送编程信号。
5.一种电子负载，其特征在于，包括MCU和至少2个权利要求1至4任意一项所述的多级串联高压大功率消耗式负载电路，所述MCU分别连接所述多级串联高压大功率消耗式负载电路的编程信号输出端。
6.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求5所述的电子负载。
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