[发明专利]锑化铟晶片的退火工艺在审
| 申请号： | 202310548087.5 | 申请日： | 2023-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN116555919A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 郑金龙;唐勇;杨小丽;周铁军;马金峰 | 申请（专利权）人： | 广东先导微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 唐静 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锑化铟 晶片 退火 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种锑化铟晶片的退火工艺，其特征在于，包括以下步骤：
将锑化铟晶片依次摆放在石英舟上，然后将石英舟放入石英管内；石英管包括管体和石英帽；在石英帽中放入锑；
将石英管密封后抽真空，达到预设真空度以下后，向石英管中充入惰性气体或氮气；
将石英管放入退火炉中，开启退火炉，升温至300~350℃保温一段时间；
保温结束后，降温。
2.如权利要求1所述的锑化铟晶片的退火工艺，其特征在于，所述预设真空度为1×10-4pa。
3.如权利要求2所述的锑化铟晶片的退火工艺，其特征在于，向石英管中充入惰性气体或氮气至石英管内压强为一个大气压。
4.如权利要求1所述的锑化铟晶片的退火工艺，其特征在于，所述升温的速率为0.6-1.2℃/min。
5.如权利要求1所述的锑化铟晶片的退火工艺，其特征在于，在300~350℃保温的时间为2~6小时。
6.如权利要求1所述的锑化铟晶片的退火工艺，其特征在于，所述降温的速率为0.5-0.9℃/min。
7.如权利要求1所述的锑化铟晶片的退火工艺，其特征在于，还包括：锑化铟晶片放入石英舟前，清洗锑化铟晶片的步骤。
8.如权利要求7所述的锑化铟晶片的退火工艺，其特征在于，所述清洗方式包括酸洗和水洗。
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