[发明专利]一种晶体硅光伏组件PID测试方法

说明书

本发明属于光伏组件测试领域，具体公开了一种晶体硅光伏组件PID测试方法，包括步骤S1、对测试样品组件第一次测试，记录最大功率一；S2、对测试样品组件进行PID试验，持续96小时后，在6小时内对测试样品组件进行第二次测试，记录最大功率二；S3、对测试样品组件进行PID后干热恢复处理，将测试样品组件开路放置在85～110℃的环境试验箱内进行干热试验96小时后进行第三次测试，记录最大功率三；若最大功率三＞最大功率二，记录PID后真实功率为最大功率三；若最大功率三≤最大功率二，记录PID后真实功率为最大功率二。本测试方法能够排查其他恢复方法不能恢复的缺陷，降低非本质PID现象造成的功率衰减，提高PID测试的精确性。

技术领域

本发明涉及光伏组件测试领域，更具体地说，涉及一种晶体硅光伏组件PID测试方法。

背景技术

晶体硅光伏组件一般指太阳电池组件，是由高效晶体硅太阳能电池片、超白布纹钢化玻璃、EVA、透明TPT背板以及铝合金边框组成。PID意为电位诱发衰减，光伏发电系统的系统电压存在对晶体硅电池组件有持续的“电位诱发衰减”效用，晶体硅电池通过封装材料(通常是EVA和玻璃的上表面)对组件边框形成的回路所导致的漏电流，进而导致电池发电性能下降现象。有效PID衰减是可以恢复的，由于日常PID测试的结果掺杂了其他原因造成的功率衰减，无法有效模真实的组件PID性能。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种晶体硅光伏组件PID测试方法，用以解决或部分解决现有市面上的晶体硅光伏组件PID测试方法在实际测试过程中出现的无法排查非本质PID现象造成的功率衰减，导致PID测试不准确的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种晶体硅光伏组件PID测试方法，包括如下步骤：

S1、对测试样品组件进行第一次测试，记录测试结果，所述测试结果包括最大功率一；

S2、对测试样品组件进行PID试验，PID试验持续96小时，PID试验结束后6小时内对PID试验后的测试样品组件进行第二次测试，记录测试结果，所述测试结果包括最大功率二；

S3、对测试样品组件进行PID后干热恢复处理，将测试样品组件开路放置在85～110℃的环境试验箱内进行干热试验96小时，对干热恢复处理后的测试样品组件进行第三次测试，记录测试结果，所述测试结果包括最大功率三；

若最大功率三＞最大功率二，所述测试样品组件的PID后真实功率记为最大功率三；

若最大功率三≤最大功率二，所述测试样品组件的PID后真实功率记为最大功率二。

根据本发明提供的晶体硅光伏组件PID测试方法，由于增加了照射恢复、PID测试极性相反的恢复、干热处理的恢复等PID测试后的恢复步骤，尤其通过对PID测试后的组件进行干热处理，排查其他恢复方法不能恢复的缺陷，降低非本质PID现象造成的功率衰减，提高PID测试的精确性，能够有效地评估晶体硅光伏组件PID性能，为保证光伏行业的发展提供技术支持。

优选地，上述PID试验的步骤包括：

S21、将测试样品组件绝缘放置在环境试验箱，并与导电件电连接，将所述导电件与供电装置电连接；

S22、调节环境试验箱的温度和湿度达到预设值后通过所述供电装置对所述导电件输出直流电压，达到预定时间后关闭所述供电装置；

S22、将所述测试样品组件从所述环境试验箱内取出后静置，等待第二次测试。

优选地，上述步骤S22中，环境试验箱的温度预设为85℃、湿度预设为85％RH，当所述环境试验箱温度在85±2℃、湿度在85±5％RH范围后，开始12h环境稳定期，在稳定期后将PID测试电压设定为负1500V或负系统最高电压值，保持96个小时。