[发明专利]一种晶体硅光伏组件PID测试方法

权利要求书

1.一种晶体硅光伏组件PID测试方法，其特征在于，包括：

S1、对测试样品组件进行第一次测试，记录测试结果，所述测试结果包括最大功率一；

S2、对测试样品组件进行PID试验，PID试验持续96小时，PID试验结束后6小时内对PID试验后的测试样品组件进行第二次测试，记录测试结果，所述测试结果包括最大功率二；

S3、对测试样品组件进行PID后干热恢复处理，将测试样品组件开路放置在85～110℃的环境试验箱内进行干热试验96小时，对干热恢复处理后的测试样品组件进行第三次测试，记录测试结果，所述测试结果包括最大功率三；

若最大功率三＞最大功率二，所述测试样品组件的PID后真实功率记为最大功率三；

若最大功率三≤最大功率二，所述测试样品组件的PID后真实功率记为最大功率二。

2.根据权利要求1所述的晶体硅光伏组件PID测试方法，其特征在于，所述PID试验的步骤包括：

S21、将测试样品组件绝缘放置在环境试验箱，并与导电件电连接，将所述导电件与供电装置电连接；

S22、调节环境试验箱的温度和湿度达到预设值后通过所述供电装置对所述导电件输出直流电压，达到预定时间后关闭所述供电装置；

S22、将所述测试样品组件从所述环境试验箱内取出后静置，等待第二次测试。

3.根据权利要求2所述的晶体硅光伏组件PID测试方法，其特征在于，所述步骤S22中，环境试验箱的温度预设为85℃、湿度预设为85％RH，当所述环境试验箱温度在85±2℃、湿度在85±5％RH范围后，开始12h环境稳定期，在稳定期后将PID测试电压设定为负1500V或负系统最高电压值，保持96个小时。

4.据权利要求2所述的晶体硅光伏组件PID测试方法，其特征在于，所述步骤S21中，将所述测试样品组件的正负极短接后连接供电装置的一极，所述测试样品组件的边框连接供电装置的另一极。

5.根据权利要求1所述的晶体硅光伏组件PID测试方法，其特征在于，在所述步骤S3之前对所述测试样品组件进行光照恢复处理、紫外恢复处理、PID后反极性恢复处理中的一种或多种。

6.根据权利要求5所述的晶体硅光伏组件PID测试方法，其特征在于，所述光照恢复处理包括将所述测试样品组件短路后进行2KWh/m²的光照照射，所述紫外恢复处理包括将所述测试样品组件短路后进行2KWh/m²的紫外照射。

7.根据权利要求5所述的晶体硅光伏组件PID测试方法，其特征在于，所述PID后反极性恢复处理包括：按照步骤S2中的PID试验的步骤对测试样品组件通反向极性的电压，对PID后反极性恢复处理96小时。

8.根据权利要求1所述的晶体硅光伏组件PID测试方法，其特征在于，所述第一次测试、第二次测试、第三次测试均包括外观检测、最大功率测试、EL电致发光测试和湿漏电流试验。

9.根据权利要求8所述的晶体硅光伏组件PID测试方法，其特征在于，所述第一次测试中，湿漏电流试验后在不进行清洁处理的条件下直接自然放至干燥，然后进行步骤S2。

10.根据权利要求1所述的晶体硅光伏组件PID测试方法，其特征在于，还包括在步骤S1之前的预处理，所述预处理包括将测试样品组件放置在50±10℃的环境下，组件在最大功率点状态下用辐照度为800W/m²～1000W/m²的光强累计照射60KWh/m²。