[发明专利]一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法

说明书

本发明公开了一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法，包括如下步骤：步骤1，在OLED驱动电路的基板上形成反射金属层和第三透明微腔层，所述基板具有第一像素区、第二像素区、第三像素区，三个像素区对应不同颜色的像素；基板具有像素区外的监测区域，所述监测区域包括第一刻蚀监测区、第二刻蚀监测区；步骤2，通过光刻和刻蚀的方法在第一像素区、第二像素区、第三像素区形成独立的像素电极；步骤3，通过图形化方式，采用不同刻蚀速率刻蚀像素区和对应的监测区。本发明使各像素区具备不同微腔结构，实现通过微腔独立调节子像素颜色，提高硅基有机发光显示器的显示亮度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及有机发光显示器像素电极结构的制备方法。

背景技术

有机发光二极管（OLED）显示器件彩色化方案一般有两种，一种是子像素的直接彩色化，一种是通过白光加彩色过滤片的方式实现彩色。在微显示领域，一般采用不同透明微腔厚度的方式实现子像素直接彩色化。在制备微腔电极时，一般采用独立溅射RGB透明微腔层的方式，该方法通过控制溅射时间控制微腔层厚度，厚度控制精确，但步骤繁琐，成本偏高。若采用刻蚀的方法实现不同微腔层制备，由于刻蚀速率不稳定，容易造成加大厚度偏差，需要对刻蚀厚度精确控制。

发明内容

技术目的：针对现有技术中的问题，本发明提供了一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法，以解决刻蚀速率不稳定造成厚度偏差大，精确控制较困难的问题。

技术方案：一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法，包括如下步骤：

步骤1，在OLED驱动电路的基板上形成反射金属层和第三透明微腔层，所述基板具有第一像素区、第二像素区、第三像素区，三个像素区对应不同颜色的像素；基板具有像素区外的监测区域，所述监测区域包括第一刻蚀监测区、第二刻蚀监测区，第一刻蚀监测区、第二刻蚀监测区为面状区域，通过椭偏仪，膜厚仪监测其厚度；

步骤2，通过光刻和刻蚀的方法在第一像素区、第二像素区、第三像素区形成独立的像素电极，保留第一刻蚀监测区和第二刻蚀监测区上的反射金属层和透明微腔层；

步骤3，通过图形化方式，采用不同刻蚀速率刻蚀像素区和对应的监测区，具体包括如下步骤：

步骤31a，通过图形化的方式，采用光刻胶或者SiNx（氮化硅）硬掩膜、SiOx（氧化硅）硬掩膜保护第一、第三像素区、第二刻蚀监测区，打开第二像素区，第一刻蚀监测区上的光刻胶或掩膜；

步骤32a，采用高刻蚀速率程序刻蚀第二像素区，第一刻蚀监测区的透明微腔层，高刻蚀速率设定时间后，取出整个基板测试第一刻蚀监测区上透明微腔层厚度，因工艺波动影响，如未达到设定厚度，采用高刻蚀速率继续刻蚀一段时间，直至厚度达到第二像素区目标厚度的101%-120%；

步骤33a，使用低刻蚀速率程序刻蚀透明微腔层，低刻蚀速率设定时间后，取出测试第一刻蚀监测区上透明微腔层厚度，如未达到目标厚度，采用低刻蚀速率继续刻蚀一段时间，直至达到第二像素区目标厚度，得到实现目标厚度的第二透明微腔层，去除光刻胶或掩膜；

步骤34a，通过图形化的方式，采用光刻胶、SiNx硬掩膜或者SiOx硬掩膜保护第二、第三像素区、第一刻蚀监测区，打开第一像素区，第二刻蚀监测区上的光刻胶或掩膜；

步骤35a，使用高刻蚀速率程序刻蚀第一像素区，第二刻蚀监测区透明微腔层，高刻蚀速率设定时间后，取出测试第二刻蚀监测区上透明微腔层厚度，如未达到设定厚度，采用高刻蚀速率继续刻蚀一段时间，直至厚度达到第一像素区目标厚度101%-120%；第一像素区目标厚度与第二像素区目标厚度不同；