[发明专利]一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法

权利要求书

1.一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，在OLED驱动电路的基板上形成反射金属层和第三透明微腔层，所述基板具有第一像素区、第二像素区、第三像素区，三个像素区对应不同颜色的像素；基板具有像素区外的监测区域，所述监测区域包括第一刻蚀监测区、第二刻蚀监测区，第一刻蚀监测区、第二刻蚀监测区为面状区域，像素区和监测区域膜层厚度一致；

步骤2，通过光刻和刻蚀的方法在第一像素区、第二像素区、第三像素区形成独立的像素电极；

步骤3，通过图形化方式，采用不同刻蚀速率刻蚀像素区和对应的监测区，具体包括如下步骤：

步骤31a，通过图形化的方式，采用光刻胶、SiNx硬掩膜或者SiOx硬掩膜保护第一、第三像素区、第二刻蚀监测区，打开第二像素区，第一刻蚀监测区上的光刻胶、SiNx硬掩膜或者SiOx硬掩膜；

步骤32a，采用高刻蚀速率刻蚀第二像素区，第一刻蚀监测区的透明微腔层，高刻蚀速率设定时间后，取出整个基板测试第一刻蚀监测区上透明微腔层厚度，如未达到设定厚度，采用高刻蚀速率继续刻蚀一段时间，直至厚度达到第二像素区目标厚度的101%-120%，第二像素区透明微腔层的厚度与第一刻蚀监测区透明微腔层的厚度相同；

步骤33a，使用低刻蚀速率刻蚀透明微腔层，低刻蚀速率设定时间后，取出测试第一刻蚀监测区上透明微腔层厚度，如未达到目标厚度，采用低刻蚀速率继续刻蚀一段时间，直至达到第二像素区目标厚度，第二像素区透明微腔层的厚度与第一刻蚀监测区透明微腔层的厚度相同，得到实现目标厚度的第二透明微腔层，去除光刻胶或掩膜；

步骤34a，通过图形化的方式，采用光刻胶、SiNx硬掩膜或者SiOx硬掩膜保护第二、第三像素区、第一刻蚀监测区，打开第一像素区，第二刻蚀监测区上的光刻胶、SiNx硬掩膜或者SiOx硬掩膜；

步骤35a，使用高刻蚀速率刻蚀第一像素区，第二刻蚀监测区透明微腔层，高刻蚀速率设定时间后，取出测试第二刻蚀监测区上透明微腔层厚度，如未达到设定厚度，采用高刻蚀速率继续刻蚀一段时间，直至厚度达到第一像素区目标厚度101%-120%，第一像素区透明微腔层的厚度与第二刻蚀监测区透明微腔层的厚度相同；第一像素区目标厚度与第二像素区目标厚度不同；

步骤36a，使用低刻蚀速率刻蚀透明微腔层，低刻蚀速率设定时间后，取出测试第二刻蚀监测区上透明微腔层厚度，如未达到目标厚度，采用低刻蚀速率继续刻蚀一段时间，直至达到第一像素区目标厚度，第一像素区透明微腔层的厚度与第二刻蚀监测区透明微腔层的厚度相同；得到实现目标厚度的第一透明微腔层，去除光刻胶或掩膜，得到目标电极；至此，在第一像素区、第二像素区、第三像素区形成不同厚度的第一透明微腔层、第二透明微腔层、第三透明微腔层。