[发明专利]一种多晶硅破碎系统及方法

说明书

本发明公开了一种多晶硅破碎系统及方法，涉及多晶硅破碎技术领域，多晶硅破碎系统，包括：料车，料车内盛放有硅棒；上料台，上料台位于料车旁；多晶硅破碎装置，多晶硅破碎装置位于上料台后方，对上料后的硅棒进行破碎；输送装置，输送装置的输送前端位于多晶硅破碎装置的出料口下方，输送多晶硅破碎装置出料口排出的破碎后的块状硅料并对其进行冷却；硅料自动添加装置，硅料自动添加装置位于输送装置旁，其内装有硅料，并将硅料自动添加至输送装置上，与输送装置输送的多晶硅破碎装置破碎的块状硅料混合。硅料自动添加装置弥补多晶硅破碎装置破碎产品因人为搭配造成的个别产品差异和产品减值，同时改善人为添加操作的可操作性和均匀性。

技术领域

本发明涉及多晶硅破碎技术领域，更具体地说涉及一种多晶硅破碎系统及方法。

背景技术

多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。

在多晶硅生产中，需要将硅棒破碎成硅料。现有技术中，公开号为CN212284347U的专利，公开了一种多晶硅破碎系统，该系统中：上料机构用于将多晶硅送入真空箱内；输送机构用于将多晶硅从真空箱送入加热炉内，且用于将加热炉内的多晶硅送入第一水箱；真空箱上设置有上料门和前段炉门，上料门打开则允许上料机构上料，前段炉门打开则允许输送机构将多晶硅送入加热炉内，上料门和前段炉门关闭则真空箱形成密封空间；加热炉用于对多晶硅进行加热，加热炉上设置有后段炉门，前段炉门和后段炉门关闭则加热炉形成封闭空间；第一水箱用于盛放冷却水，且位于后段转运室的下方。本实用新型能够大幅减少产品损耗，且具有较高的生产效率，和较低的安全风险。

上述专利公开的多晶硅破碎系统，破碎方式采用一节硅料整棒入炉进行加热后再冷却，最后进入专用机械中破碎筛分，会出现个别产品价值过剩情况，部分产品存在提升空间。为提升产品价值，可通过管理方式，上料口采用人工添加的方式来保证产品满足标准的同时，最大限度的增加产品效益。

对于目前市场上的多晶硅产品规格，其主要包括致密料、混包料（致密料、疏松料和和珊瑚料按比例混合破碎）、珊瑚料和碎料，其中致密料和混包料是市场主流。目前采用的多晶硅破碎系统破碎硅料，该方式采用的硅棒长度为350-650mm，因硅棒出炉外观规律（致密-疏松-珊瑚），所以在上料时人为搭配过程中，如此长度的硅棒，会导致破碎出来的混包产品中，每种料况的比例和企业标准要求或客户要求不一致，或者个别产品外观不达标和差异过大等情况，其会造成产品降级或产品减值，造成企业效益流失。

另外，多晶硅破碎系统在上料时，也可通过控制上料硅棒长度来控制上述缺点，但该方式会严重降低生产效率和产量，导致企业效益流失。

为达到质量和生产效率的双赢，提升企业效益，提出破碎后产品通过管理手段--在后端机械破碎出料口进行人工添加的方式，经过实验跟踪，能实现部分产品价值提升，但该方式存在人工操作不便捷、效率低，添加不均匀从而导致产品减值的缺点。

发明内容

为了克服上述现有技术中存在的缺陷，本发明公开了一种多晶硅破碎系统及方法，本发明的目的是解决现有技术中在后端机械破碎出料口进行人工添加的方式，经过实验跟踪，能实现部分产品价值提升，但该方式存在人工操作不便捷、效率低，添加不均匀从而导致产品减值的缺点的问题。本发明通过在多晶硅破碎装置的出料口处增加输送装置，完成产品冷却，同时在输送装置旁增加硅料自动添加装置，用于弥补多晶硅破碎装置破碎产品因人为搭配造成的个别产品差异和产品减值，同时改善人为添加操作的可操作性和均匀性。

为了实现以上目的，本发明采用的技术方案：

一种多晶硅破碎系统，包括：

料车，所述料车内盛放有硅棒；

上料台，所述上料台位于所述料车旁，对料车内的硅棒进行上料；

多晶硅破碎装置，所述多晶硅破碎装置位于所述上料台后方，对上料后的硅棒进行破碎；