[发明专利]一种利于回收的卡塞及回收方法在审

专利信息
申请号: 202310523562.3 申请日: 2023-05-11
公开(公告)号: CN116534424A 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: 赵中阳;于会永;冯佳锋;袁韶阳;赵春锋 申请(专利权)人: 大庆溢泰半导体材料有限公司
主分类号: B65D25/04 分类号: B65D25/04;B08B3/08;B08B3/12;B08B3/02;B65D25/38;B65D81/05
代理公司: 黑龙江省百盾知识产权代理事务所(普通合伙) 23218 代理人: 孙淑荣
地址: 163000 黑龙江省大庆市高新区新泰路3号、黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 利于 回收 方法
【说明书】:

一种利于回收的卡塞及回收方法,涉及晶圆分选卡塞领域,包括上端板、下端板和滑动板,所述的上端板与下端板之间设置有用于分层卡放晶圆的卡放组件,卡放组件不少于三组,卡放组件包括导向轴和隔块,导向轴的两端分别与上端板和下端板固定连接,隔块一字排开串装在导向轴上,相邻隔块之间设置有隔垫,从而使隔块与隔块之间形成凹槽,所述的卡放组件外侧设置有用于拉开隔块与隔块之间间距的连接装置。本发明在卡塞结构上做出创新,使其更利于回收再利用。

技术领域

本发明属于晶圆分选卡塞领域,尤其涉及一种利于回收的卡塞及回收方法。

背景技术

在现在半导体材料的加工过程中,晶片包装是晶片加工最后一个环节,在现有的生产中,晶片晶片严格的抛光清洗之后,可以得到无污染无颗粒的晶圆表面,这是后续加工的基础。晶圆在合格之后要放入圆盒或者卡塞中,卡塞的品质也会影响晶圆表面,如果卡塞有脏污或者颗粒,会被吸附在晶圆表面,所以现在基本上都是使用全新的圆盒或者卡塞。

现有的卡塞结构是在卡塞上加工出用于放置晶圆的卡槽,卡槽基本为一个细小的缝隙,若脏污则不易清理干净,因此,基本上现有的卡塞不得不一次使用后报废处理。

发明内容

现有卡塞的结构导致其无法彻底清理,回收率低,本发明提供于回收的卡塞及回收方法,本发明改进了卡塞的结构,在清理时使卡塞的卡槽能够最大化,清理起来更加的彻底;同时本发明通过安放不同厚度的隔垫来改变隔块与隔块之间的距离,从而适应放置不同厚度尺寸的晶圆。

本发明提供的技术方案是:

一种利于回收的卡塞,包括上端板、下端板和滑动板,上端板与下端板之间设置有用于分层卡放晶圆的卡放组件,卡放组件不少于三组,卡放组件沿着一个虚拟圆的边缘设置;卡放组件包括导向轴和串装在导向轴上的隔块,导向轴的两端分别与上端板和下端板固定连接,隔块可在导向轴上滑动,相邻隔块之间设置有隔垫,从而使隔块与隔块之间形成用于放置晶圆的凹槽,所述的卡放组件外侧设置有用于拉开隔块与隔块之间间距的连接装置,所述的连接装置包括边部连接板和中部连接板,边部连接板和中部连接板的结构相同——两端均带有长孔,只不过边部连接板和中部连接板在卡放组件上的位置不同,每个隔块上固定设置有短销,边部连接板连接在三个隔块之间,其中中间的隔块的短销与边部连接板中间位置固定连接,上下两个隔块的短销分别插装在边部连接板两端的长孔内并可在长孔内滑动,中部连接板与边部连接板交错设置,中部连接板同样连接在三个隔块之间,三个隔块中中间的隔块的短销与中部连接板的中间位置固定连接,上下两个隔块的短销分别插装在中部连接板两端的长孔内并可在长孔内滑动,上下两个隔块不仅与中部连接板通过短销连接,而且同时与边部连接板通过短销连接;所述的滑动板位于卡放组件的上方,滑动板与最上方的隔块连接,因此向上移动滑动板时,在边部连接板和中部连接板的连接作用下,所有的隔块之间的间距都有增大,与现有技术的卡槽上的细小的缝隙相比较,显然间距越大越有利于清理干净,因为更利于回收再利用。

进一步的,所述的隔垫为可拆卸式结构,隔垫包括不同的厚度型号。

进一步的,所述的上端板与滑动板之间设置有用于改变二者间距的螺杆,螺杆与滑动板旋转配合,螺杆与上端板螺纹配合。

进一步的,所述的滑动板上设置有拉钩,拉钩下端能够卡在所述的短销上,从而在滑动板上下滑动时带动该短销及其上方所有的隔块共同向上滑动。

一种利于回收的卡塞的回收方法,包括以下步骤:

a、将回收的卡塞集中起来,撕去表面的标签,如果标签无法完全除去,则用有机溶剂擦拭,直至标签完全除去,而后进行表面检查,对于表面合格的卡塞,向上旋转螺杆至滑动板升至最高,使各个隔块之间拉开最大距离,取出隔垫;

b、将拉开间距的卡塞整体放入浓硫酸中浸泡3-10分钟,浓硫酸采用分析纯以上的浓硫酸,浓硫酸浓度大于98%,之后在进行浸泡稀硫酸3-10分钟,稀硫酸中硫酸和水的体积份数比为1:3~10;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大庆溢泰半导体材料有限公司,未经大庆溢泰半导体材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310523562.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top