[发明专利]一种低压降稳压器的温度保护电路和方法

说明书

本发明公开了一种低压降稳压器的温度保护电路和方法，所述电路应用于低压降稳压器，温度保护电路用于通过第一输入端采集第一电压，通过第二输入端采集第二电压，并通过第一输出端输出第一输出信号；第一输出信号为低电压信号或者高电压信号；第一电压为参考电压；第二电压为与绝对温度成反比的电压；低压降稳压器用于根据第一输入端采集的第一输出信号和第二输入端采集的第一电压，通过低压降稳压器的输出端输出第一输出电压；若第一输出信号为低电压信号，则低压降稳压器停止工作；若第一输出信号为高电压信号，则低压降稳压器正常工作，输出第一输出电压，本发明实现在温度保护电路结构简单的基础上，提高电路的过温响应速度。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种低压降稳压器的温度保护电路和方法。

背景技术

低压降稳压器(LDO)作为电源管理芯片的一种具有低功耗、体积小和电路结构简单等特点。低压降稳压器的基本原理为：由带隙基准产生一个与电源电压和温度无关的参考电压，误差放大器将参考电压和输出电压的反馈信号作比较，将误差放大传送到调整晶体管(调整管)的栅极。调整管负责驱动负载，若调整管的功耗过大就会导致温度过高，可能会使芯片热损坏。现有应用于低压降稳压器的温度保护电路存在结构复杂、占用芯片面积大以及过温响应速度慢的问题。

发明内容

本发明提供了一种低压降稳压器的温度保护电路，以实现简化温度保护电路，提高过温响应速度。

为了实现简化温度保护电路以及提高过温响应速度，本发明提供了一种低压降稳压器的温度保护电路，应用于低压降稳压器，所述低压降稳压器的第一输入端与所述温度保护电路的第一输出端连接；第一电压接入所述低压降稳压器的第二输入端；

所述温度保护电路包括：差分输入比较器、施密特触发器和电平移位器；

所述差分输入比较器的第一采样端作为所述温度保护电路的第一输入端，所述差分输入比较器的第二采样端作为所述温度保护电路的第二输入端，所述差分输入比较器的输出端与所述施密特触发器的输入端连接，所述施密特触发器的输出端与所述电平移位器的输入端连接，所述电平移位器的输出端作为所述温度保护电路的第一输出端；

所述温度保护电路用于通过第一输入端采集第一电压，通过第二输入端采集第二电压，并通过第一输出端输出第一输出信号；所述第一输出信号为低电压信号或者高电压信号；所述第一电压为参考电压；所述第二电压为与绝对温度成反比的电压；

所述低压降稳压器用于根据第一输入端采集的第一输出信号和第二输入端采集的第一电压，通过所述低压降稳压器的输出端输出第一输出电压；若所述第一输出信号为低电压信号，则所述低压降稳压器停止工作；若所述第一输出信号为高电压信号，则所述低压降稳压器正常工作，输出第一输出电压。

进一步地，所述差分输入比较器，包括：PMOS电流源、PMOS差分输入对和有源电流镜负载；

所述PMOS差分输入对包括第一差分元件和第二差分元件；将第一差分元件的栅极作为差分输入比较器的第一采样端；差分输入比较器的第二采样端与第二差分元件的栅极连接；所述第一差分元件的源极、第二差分元件的源极与PMOS电流源的漏极相连接；所述PMOS电流源的栅极接偏置电压，所述PMOS电流源的源极接入第一电源；

所述有源电流镜负载包括第一负载和第二负载；所述第一负载的漏极与所述第一差分元件的漏极连接；所述第一负载的漏极、所述第一负载的栅极与第二负载的栅极连接；所述第二负载的漏极与所述第二差分元件的漏极连接，并作为差分输入比较器的输出端；所述第一负载和所述第二负载的源极均接地。

进一步地，所述差分输入比较器的输出端通过第一连接电路与所述施密特触发器的输入端连接，具体为：

所述第一连接电路包括共源级放大器和第一晶体管；