[发明专利]一种低压降稳压器的温度保护电路和方法

权利要求书

1.一种低压降稳压器的温度保护电路，其特征在于，应用于低压降稳压器，所述低压降稳压器的第一输入端与所述温度保护电路的第一输出端连接；第一电压接入所述低压降稳压器的第二输入端；

所述温度保护电路包括：差分输入比较器、施密特触发器和电平移位器；

所述差分输入比较器的第一采样端作为所述温度保护电路的第一输入端，所述差分输入比较器的第二采样端作为所述温度保护电路的第二输入端，所述差分输入比较器的输出端与所述施密特触发器的输入端连接，所述施密特触发器的输出端与所述电平移位器的输入端连接，所述电平移位器的输出端作为所述温度保护电路的第一输出端；

所述温度保护电路用于通过第一输入端采集第一电压，通过第二输入端采集第二电压，并通过第一输出端输出第一输出信号；所述第一输出信号为低电压信号或者高电压信号；所述第一电压为参考电压；所述第二电压为与绝对温度成反比的电压；

所述低压降稳压器用于根据第一输入端采集的第一输出信号和第二输入端采集的第一电压，通过所述低压降稳压器的输出端输出第一输出电压；若所述第一输出信号为低电压信号，则所述低压降稳压器停止工作；若所述第一输出信号为高电压信号，则所述低压降稳压器正常工作，输出第一输出电压。

2.如权利要求1所述的一种低压降稳压器的温度保护电路，其特征在于，所述差分输入比较器，包括：PMOS电流源、PMOS差分输入对和有源电流镜负载；

所述PMOS差分输入对包括第一差分元件和第二差分元件；将第一差分元件的栅极作为差分输入比较器的第一采样端；差分输入比较器的第二采样端与第二差分元件的栅极连接；所述第一差分元件的源极、第二差分元件的源极与PMOS电流源的漏极相连接；所述PMOS电流源的栅极接偏置电压，所述PMOS电流源的源极接入第一电源；

所述有源电流镜负载包括第一负载和第二负载；所述第一负载的漏极与所述第一差分元件的漏极连接；所述第一负载的漏极、所述第一负载的栅极与第二负载的栅极连接；所述第二负载的漏极与所述第二差分元件的漏极连接，并作为差分输入比较器的输出端；所述第一负载和所述第二负载的源极均接地。

3.如权利要求2所述的一种低压降稳压器的温度保护电路，其特征在于，所述差分输入比较器的输出端通过第一连接电路与所述施密特触发器的输入端连接，具体为：

所述第一连接电路包括共源级放大器和第一晶体管；

所述共源级放大器包括第二晶体管和第三晶体管；所述第二晶体管的栅极接入偏置电压，所述第二晶体管的源极接第一电源；所述第三晶体管的栅极、所述第二负载的漏极与所述第二差分元件的漏极相连接；所述第三晶体管的源极和第一晶体管的源极均接地；所述第二晶体管的漏极、第三晶体管的漏极与所述第一晶体管的漏极连接，并与施密特触发器的输入端连接。

4.如权利要求1所述的一种低压降稳压器的温度保护电路，其特征在于，所述施密特触发器包括第一PMOS、第一NMOS、第二PMOS、第二NMOS、第三PMOS和第三NMOS；

第一PMOS、第二PMOS和第三PMOS的源极均接入第一电源；第一NMOS、第二NMOS和第三NMOS的源极均接地；

第一PMOS的栅极和第一NMOS的栅极连接，并作为施密特触发器的输入端；第一PMOS的漏极、第一NMOS的漏极、第一晶体管栅极、第二PMOS的漏极、第二NMOS的漏极、第三PMOS的栅极和第三NMOS的栅极相连接；第二PMOS的栅极、第二NMOS的栅极、第三PMOS的漏极和第三NMOS的漏极相连接，并作为施密特触发器的输出端。