[发明专利]一种基于埋栅结构的改进型石墨烯气体传感器在审
| 申请号： | 202310496657.0 | 申请日： | 2023-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN116465929A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 吴韵秋;徐涛;刘辉华;赵晨曦;余益明;张青风;康凯 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 结构 改进型 石墨 气体 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于埋栅结构的改进型石墨烯气体传感器，包括：栅极金属层(1)、硅衬底层(2)、二氧化硅层(3)、石墨烯层(4)、源极金属层(5)与漏极金属层(6)；其特征在于，所述石墨烯气体传感器还包括：三氧化二铝层(7)，所述二氧化硅层设置于硅衬底层上表面，所述二氧化硅层上表面的中间位置开设矩形凹槽，所述栅极金属层埋嵌设置于矩形凹槽内，所述三氧化二铝层设置于二氧化硅层与栅极金属层上表面，所述石墨烯层设置于三氧化二铝层上表面的中间位置，三氧化二铝层与石墨烯层上设置所述源极金属层与漏极金属层，源极金属层与漏极金属层分别位于栅极金属层的两侧、且三者在垂直方向上无交叠。
2.按权利要求1所述基于埋栅结构的石墨烯气体传感器，其特征在于，所述三氧化二铝层的厚度为20nm-100nm。
3.按权利要求1所述基于埋栅结构的石墨烯气体传感器，其特征在于，所述栅极金属层的金属材料采用金，所述源极金属层与漏极金属层均采用Ti/Pt/Au堆叠金属层。
4.按权利要求1所述基于埋栅结构的石墨烯气体传感器，其特征在于，所述石墨烯层采用石墨烯薄膜或石墨烯复合材料。
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