[发明专利]一种防闩锁的浪涌保护电路在审

专利信息
申请号: 202310481659.2 申请日: 2023-04-28
公开(公告)号: CN116488123A 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 郝壮壮;赵德益;蒋骞苑;吕海风;苏海伟;叶毓明 申请(专利权)人: 上海维安半导体有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴轶淳
地址: 201202 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 防闩锁 浪涌 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种防闩锁的浪涌保护电路,其特征在于,包括:

浪涌保护单元,所述浪涌保护单元串接在电子产品的供电端和地端之间;

防闩锁单元,所述防闩锁单元通过两条电流传输路径连接所述浪涌保护单元;

延时控制单元,所述延时控制单元串接在所述供电端和所述地端之间,并通过电压传输路径连接所述防闩锁单元;

所述浪涌保护单元用于在所述供电端发生雷击浪涌时进入大回骤状态泄放浪涌电流;

所述延时控制单元用于在所述雷击浪涌结束前,通过所述电压传输路径传输第一电压信号,控制所述防闩锁单元处于关断状态,以及在所述雷击浪涌结束时,通过所述电压传输路径传输第二电压信号,控制所述防闩锁单元延时导通,使所述浪涌保护单元的电流通过所述电流传输路径从所述防闩锁单元流向所述地端使得所述浪涌保护单元退出所述大回骤状态,从而实现防闩锁。

2.根据权利要求1所述的浪涌保护电路,其特征在于,所述浪涌保护单元包括:

第一三极管,所述第一三极管的发射极连接第一电阻的一端,所述第一三极管的集电极连接第二电阻的一端,所述第一三极管的基极分别连接所述第一电阻的另一端和第一二极管的阴极;

第二三极管,所述第二三极管的发射极连接所述第二电阻的另一端,所述第二三极管的集电极分别连接所述第一电阻的另一端和所述第一二极管的阴极,所述第二三极管的基极分别连接所述第一二极管的阳极、所述第二电阻的一端和所述第一三极管的集电极;

所述第一三极管的发射极连接所述供电端,所述第二电阻的另一端连接所述地端。

3.根据权利要求2所述的浪涌保护电路,其特征在于,所述延时控制单元包括:

第三电阻,所述第三电阻的一端通过所述电压传输路径连接所述防闩锁单元,所述第三电阻的一端还连接第一电容的一端和第四电阻的一端,所述第一电容和所述第四电阻的另一端连接所述地端;

第一场效应管,所述第一场效应管的漏极连接所述第三电阻的另一端,所述第一场效应管的栅极连接所述供电端,所述第一场效应管的漏极连接第二电容的一端,所述第二电容的另一端连接所述地端;

第五电阻,所述第五电阻的一端连接所述第一场效应管的漏极,所述第五电阻的另一端连接第二二极管的阴极,所述第二二极管的阳极连接所述供电端。

4.根据权利要求3所述的浪涌保护电路,其特征在于,所述防闩锁单元为第二场效应管,所述第二场效应管的源极和漏极分别通过一条所述电流传输路径连接所述第二电阻的两端;

所述第二场效应管的栅极通过所述电压传输路径连接所述第三电阻的一端。

5.根据权利要求4所述的浪涌保护电路,其特征在于,所述第二场效应管为增强型绝缘栅型N沟道场效应管。

6.根据权利要求2所述的浪涌保护电路,其特征在于,所述延时控制单元包括:

第六电阻,所述第六电阻的一端连接所述供电端,所述第六电阻的另一端通过所述电压传输路径连接所述防闩锁单元;

第三电容,所述第三电容的一端连接所述第六电阻的另一端,所述第三电容的另一端连接所述地端。

7.根据权利要求6所述的浪涌保护电路,其特征在于,所述防闩锁单元为第三场效应管,所述第三场效应管的源极和漏极分别通过一条所述电流传输路径连接所述第二电阻的两端;

所述第三场效应管的栅极通过所述电压传输路径连接所述第三电阻的一端。

8.根据权利要求7所述的浪涌保护电路,其特征在于,所述第三场效应管为结型P沟道场效应管。

9.根据权利要求3所述的浪涌保护电路,其特征在于,所述第一场效应管为增强型绝缘栅型P沟道场效应管。

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