[发明专利]一种高价态RbSbIClX 在审
| 申请号: | 202310467482.0 | 申请日: | 2023-04-23 |
| 公开(公告)号: | CN116497433A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
| 发明(设计)人: | 谭婧萱;裴孟仪;付学玮;侯美云;岳思源;胡煜卓;周华伟;尹杰;张宪玺 | 申请(专利权)人: | 聊城大学 |
| 主分类号: | C30B7/10 | 分类号: | C30B7/10;C30B28/04;C30B29/12;H10K30/60;H10K30/30;H10K85/50;H10K71/12;H10K71/60;B05D1/00;B05D7/24;B05D7/00 |
| 代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 张晓鹏 |
| 地址: | 252000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高价 rbsbicl base sub | ||
1.一种高价态RbSbIClX晶体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将氢碘酸缓慢滴入碘化铷和三氯化锑的混合物中,再加入DMSO,加热搅拌获得紫黑色溶液,溶液水热反应后冷却,去除杂质,减压过滤,得到高价态RbSbIClX晶体。
2.如权利要求1所述的高价态RbSbIClX晶体的制备方法,其特征在于,所述碘化铷的物质的量为3-5mmol,所述三氯化锑的物质的量为1-3mmol,所述氢碘酸的体积为8-20mL,所述DMSO的体积为0.1-0.5mL。
3.如权利要求1所述的高价态RbSbIClX晶体的制备方法,其特征在于,所述加热搅拌的温度为150-170℃,时间为5-30min;所述水热反应的温度为150-170℃,时间为24-48h。
4.一种高价态RbSbIClX晶体,其特征在于,通过权利要求1-3任一项所述的高价态RbSbIClX晶体的制备方法获得。
5.一种光电探测器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将权利要求4所述的高价态RbSbIClX晶体完全溶解于DMF中,过滤,得到钙钛矿前驱体溶液;
S2、在FTO导电玻璃上采用多步旋涂法旋涂得到TiO2薄膜,形成致密层;
S3、在TiO2薄膜致密层上滴加钙钛矿前驱体溶液,旋涂,在旋涂结束前滴加氯苯溶液,旋涂结束后加热,得到钙钛矿层;
S4、采用动态法在钙钛矿层上旋涂spiro溶液,形成空穴传输层;
S5、采用真空蒸镀法制备金属电极层。
6.如权利要求5所述的光电探测器件的制备方法,其特征在于,步骤S1中高价态RbSbIClX晶体的质量为50-100mg,DMF的体积为0.5-1.5mL。
7.如权利要求5所述的光电探测器件的制备方法,其特征在于,步骤S3中氯苯溶液的体积为100-300μL,加热温度为90-110℃,加热时间为30-120min。
8.如权利要求5所述的光电探测器件的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述多步旋涂法包括:第一步转速3000rpm,持续30秒,加速度为3000rpm/s;第二步转速6000rpm,持续30秒,加速度为5000rpm/s。
9.如权利要求5所述的光电探测器件的制备方法,其特征在于,步骤S4中动态法具体为:转速2500rpm,时间30s,加速度2500rpm,在倒数20秒时加入10-20μL的spiro溶液进行旋涂;
所述spiro溶液的制备方法为:依次加入72.3mg的spiro-OMeTAD,1mL超干氯苯,17.5μL浓度为520mg mL-1的Li-TFSI的乙腈溶液,28.8μL TBP,然后在室温下搅拌5-12小时,得到spiro溶液。
10.一种光电探测器件,其特征在于,通过权利要求5-9任一项所述的光电探测器件的制备方法获得。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聊城大学,未经聊城大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310467482.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法





