[发明专利]一种铝合金电枢材料及其制备方法和应用在审
申请号: | 202310418074.6 | 申请日: | 2023-04-18 |
公开(公告)号: | CN116411206A | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 王宇飞;高海燕;缪姚军;吕海洋;彭朋;冯婷;王俊;孙宝德 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C22C21/00 | 分类号: | C22C21/00;C22C1/047;B22F10/28;B22F1/065;B22F1/05;B22F10/34;B22F10/366;B33Y10/00;B33Y70/00;B33Y80/00;F41B6/00 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 吕露 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铝合金 电枢 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
一种铝合金电枢材料及其制备方法和应用,属于铝合金材料技术领域;铝合金电枢材料的化学成分以质量分数计包括:Zr:0.14%~0.80%、Ce:7.50%~10.00%、Y:0.04%~0.30%、Mg:0.35%~0.60%、Fe:0.04%~0.20%、Mn:0.04%~0.15%、Si:0.008%~0.10%,其余为Al和不可避免的杂质;通过控制Zr和Y元素的含量在上述范围,使得该材料在制备的热处理过程中析出耐热相,提升该材料的耐热性能,改善了目前电枢材料在高温下会出现力学性能明显降低的问题;同时,耐热相弥散分布于铝基体中,可钉扎位错和晶界,阻碍位错和晶界的移动,有效地增强了该材料的强度。
技术领域
本申请涉及铝合金材料技术领域,具体而言,涉及一种铝合金电枢材料及其制备方法和应用。
背景技术
电磁炮的产生是现代社会时代的产物。由于科学技术的进步,传统的火炮的机动性、精度、射程、速度、杀伤力无法满足现代战争需求,迫切的需要更强的发射技术来满足时代的需求,电磁轨道炮发射技术已成为未来武器研究发展的必然方向。电磁轨道炮采用电磁推力,发射的脉冲动力大约是普通火炮发射力的10倍,并能精确的调整发射速度,安全性和隐蔽性好、可控性高、适配性强。
电枢是电磁轨道炮的核心部件,作为发射器推力的载体,将电磁能转化为动能,推动弹丸达到最高速,其性能的优劣将直接影响电磁轨道炮的发射性能与效率。由于电枢长期在强电场、磁场环境下工作,发射时材料要经受复杂的机械、热力、电气作用及强大的侧冲击力,与此同时电磁炮发射时会产生大量的焦耳热,这些热量部分被电枢材料吸收。热量的增加致使温度急剧升高,高温使得电枢材料表面部分材料发生烧损、气化,甚至是电离,这加剧了电枢材料的烧蚀现象,限制了电磁轨道炮在大功率重复发射中的应用。如何保证高电导率的基础上,改善了电枢材料的机械性能,提高电枢材料的强度和耐烧蚀能力,既保证弹丸的发射速度,又能保障电磁轨道炮的发射精度和使用寿命,成为电磁轨道炮的关键技术难题。目前,电枢材料通常采用密度较低的铝合金,材料的电导率、强韧性、抗高温烧蚀性能还难以满足实战化需求。
发明内容
本申请的目的在于提供一种铝合金电枢材料及其制备方法和应用,其改善目前电枢材料在高温下会出现力学性能明显降低的问题。
发明人在发明过程中发现:在铝合金电枢材料中添加较多的Zr和Y元素时,会导致该材料在制备的凝固过程中,Zr和Y元素会出现偏析,如图2所示,在铝基体中形成近连续的网状结构,没有形成耐热相,导致该材料在高温条件下的力学性能会出现明显降低。
第一方面,本申请的实施例提供了一种铝合金电枢材料,所述铝合金电枢材料的化学成分以质量分数计包括:Zr:0.14%~0.80%、Ce:7.50%~10.00%、Y:0.04%~0.30%、Mg:0.35%~0.60%、Fe:0.04%~0.20%、Mn:0.04%~0.15%、Si:0.008%~0.10%,其余为Al和不可避免的杂质。
为避免该材料在制备的凝固过程中出现Zr和Y元素的偏析,该铝合金电枢材料通过控制Zr和Y元素的含量在上述范围,使得该材料在制备的热处理过程中析出Al3(Zr,Y)和/或(Al,Si)3(Zr,Y)等金属间化合物作为耐热相,提升该材料的耐热性能,改善了目前电枢材料在高温下会出现力学性能明显降低的问题;同时,Al3(Zr,Y)和/或(Al,Si)3(Zr,Y)等金属间化合物能够弥散分布于铝基体中,可钉扎位错和晶界,阻碍位错和晶界的移动,有效地增强了该材料的强度。
作为一种可选的实施方式,所述铝合金电枢材料的化学成分以质量分数计包括:Zr:0.40%~0.60%、Ce:8.50%~9.50%、Y:0.15%~0.20%、Mg:0.45%~0.55%、Fe:0.10%~0.15%、Mn:0.08%~0.12%、Si:0.04%~0.07%,其余为Al和不可避免的杂质。
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