[发明专利]低温等离子体HgCl2

权利要求书

1.一种低温等离子体HgCl₂连续发生装置，其特征在于，包括：

混气室，气体在所述混气室内混合均匀；

等离子体反应区，所述等离子体反应区的第一端通过进气管与所述混气室相连通，所述等离子体反应区的第二端与出气管连通，所述等离子体反应区包括内介质和外介质，所述内介质和所述外介质之间形成环形反应区，所述混气室的气体进入所述环形反应区；

降温装置，所述降温装置用于降低所述等离子体反应区的温度。

2.根据权利要求1所述的低温等离子体HgCl₂连续发生装置，其特征在于，所述混气室具有第一配气管和第二配气管，所述第一配气管输送Hg，所述第二配气管输送Cl源。

3.根据权利要求2所述的低温等离子体HgCl₂连续发生装置，其特征在于，所述第一配气管进入所述混气室的深度大于所述第二配气管进入所述混气室的深度。

4.根据权利要求2所述的低温等离子体HgCl₂连续发生装置，其特征在于，所述第二配气管有两个，两个所述第二配气管关于所述第一配气管对称。

5.根据权利要求1所述的低温等离子体HgCl₂连续发生装置，其特征在于，所述等离子体反应区的第一端设有金属导体网筛。

6.根据权利要求1所述的低温等离子体HgCl₂连续发生装置，其特征在于，所述内介质与所述外介质之间的距离0～8mm，所述等离子体反应区的长度0～1000mm。

7.根据权利要求1所述的低温等离子体HgCl₂连续发生装置，其特征在于，所述外介质的内壁面设有内螺纹结构，所述内介质的外壁面设有外螺纹结构，所述内螺纹结构和所述外螺纹结构为正旋螺纹。

8.根据权利要求1所述的低温等离子体HgCl₂连续发生装置，其特征在于，还包括隔离件，所述隔离件设置在所述进气管的下方和所述出气管的上方。

9.根据权利要求1所述的低温等离子体HgCl₂连续发生装置，其特征在于，所述降温装置包括测温装置和冷却风扇，所述冷却风扇与所述测温装置电连接，所述冷却风扇向所述等离子体反应区送风，所述测温装置检测所述等离子体反应区远离所述混气室的一端的温度。

10.根据权利要求2所述的低温等离子体HgCl₂连续发生装置，其特征在于，所述Cl源为氯化氢或氯气时，汞蒸气与氯化氢的摩尔比大于1：100，所述Cl源为氯化氢和氯气的混合气时，汞蒸气与氯化氢和氯气的摩尔比大于1：100，氯气与氯化氢的摩尔比为1：10～1：50。