[发明专利]一种双层液晶薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种双层液晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S11：将混合溶液于90-120℃加热挥发后采用高压汞灯照射10-20s，得到聚合物薄膜材料；

所述混合溶液的溶质包括环氧液晶分子、丙烯酸液晶分子、手性掺杂剂、光引发剂、光引发助剂和自由基光引发剂；

所述环氧液晶分子选自液晶化合物1、液晶化合物2、液晶化合物3和液晶化合物4中的一种或多种；

所述液晶化合物1的结构通式如下：

所述液晶化合物2的结构通式如下：

所述液晶化合物3的结构通式如下：

所述液晶化合物4的结构通式如下：

其中，R选自COOCH₂CH₃、OCH₃或COOCH₃，m＝4-8；A表示所述液晶化合物1或液晶化合物2的中心基团，其结构通式如式Ⅰ所示：

其中，R₁选自H、Cl、F、CH₃、CH₂CH₃、OCH₃或COOCH₃；

所述丙烯酸液晶分子的结构通式如下：

所述丙烯酸液晶分子中，t＝4-8，B表示所述丙烯酸液晶分子的中心基团，其结构通式如式Ⅱ所示：

其中，R₂选自H、Cl、F、CH₃、CH₂CH₃、OCH₃或COOCH₃；

S12：于80-130℃的条件下，将所述聚合物薄膜材料用365nm的紫外光照射，得到所述双层液晶薄膜。

2.如权利要求1所述的双层液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述手性掺杂剂选自手性掺杂剂1、手性掺杂剂2、手性掺杂剂3和手性掺杂剂4中的任意两种；

所述手性掺杂剂1的结构通式如下：

其中，p＝4-8；

所述手性掺杂剂2的结构通式如下：

其中，x＝4-8；

所述手性掺杂剂3的结构通式如下：

其中，n＝3-12；

所述手性掺杂剂4的结构通式如下：

其中，q＝3-12；

所述手性掺杂剂中，M表示手性掺杂剂的手性中心的基团，其结构通式如式Ⅲ、式Ⅳ、式Ⅴ或式Ⅵ所示：

3.如权利要求1所述的双层液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述混合溶液的溶质中，环氧液晶分子和丙烯酸液晶分子的质量比为27-54：36-63。

4.如权利要求1所述的双层液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述混合溶液的溶质中，环氧液晶分子、光引发剂、光引发助剂和自由基光引发剂的质量比为27-54：2.7-5.4：1-2：1.8-3.2。

5.如权利要求1所述的双层液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述光引发剂为三芳基硫鎓盐。

6.如权利要求1所述的双层液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述光引发助剂为2-异丙基硫杂蒽酮或2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮。

7.如权利要求1所述的双层液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述混合溶液的溶剂为环戊酮和环己酮。

8.如权利要求1所述的双层液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述混合溶液的溶剂为环己酮和乙酸乙酯。

9.如权利要求1所述的双层液晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述混合溶液的溶质还包括流平剂。

10.一种权利要求1-9中任一项所述制备方法制备得到的双层液晶薄膜。