[发明专利]一种晶体谐振器晶片的加工方法

权利要求书

1.一种晶体谐振器晶片的加工方法，用于加工石英晶体谐振器晶片，其特征在于，包括如下步骤：

获取待加工晶体，对所述待加工晶体进行切割，得到切割晶片；

对所述切割晶片进行一次改圆和磨削，得到磨削晶片；

对所述磨削晶片的表层进行至少三次的研磨，得到研磨晶片；

对所述研磨晶片的表层进行抛光，得到抛光晶片；

对所述抛光晶片进行二次改圆和磨削，得到目标晶片。

2.根据权利要求1所述的晶体谐振器晶片的加工方法，其特征在于，所述获取待加工晶体，对所述待加工晶体进行切割，得到切割晶片的步骤包括：

使用切割机对所述待加工晶体进行AT型切割。

3.根据权利要求1所述的晶体谐振器晶片的加工方法，其特征在于，所述对所述切割晶片进行一次改圆和磨削，得到磨削晶片的步骤包括：

使用晶体改圆机，对所述切割晶片进行一次改圆，得到一次改圆晶片，所述一次改圆晶片的直径大于所述目标晶片的直径；

对所述一次改圆晶片进行一次磨削，其中，磨削的两平台方向垂直于晶片的光轴方向，得到所述磨削晶片。

4.根据权利要求1所述的晶体谐振器晶片的加工方法，其特征在于，所述对所述磨削晶片的表层进行至少三次的研磨，得到研磨晶片的步骤包括：

对所述磨削晶片的表面进行第一次研磨，得到一次研磨晶片；

对所述一次研磨晶片的表面进行第二次研磨，得到二次研磨晶片；

对所述二次研磨晶片的表面进行第三次研磨，得到三次研磨晶片。

5.根据权利要求4所述的晶体谐振器晶片的加工方法，其特征在于，所述对所述一次磨削晶片的表面进行第一次研磨，得到一次研磨晶片的步骤包括：

使用9B研磨机，对所述一次磨削晶片的表面进行研磨，得到一次研磨晶片。

6.根据权利要求4所述的晶体谐振器晶片的加工方法，其特征在于，所述对所述一次研磨晶片的表面进行第二次研磨，得到二次研磨晶片的步骤包括：

使用6B研磨机，对所述一次研磨晶片的表面进行研磨，得到二次研磨晶片。

7.根据权利要求4所述的晶体谐振器晶片的加工方法，其特征在于，所述对所述二次研磨晶片的表面进行第三次研磨，得到三次研磨晶片的步骤包括：

使用4B研磨机，对所述二次研磨晶片的表面进行研磨，得到三次研磨晶片。

8.根据权利要求1所述的晶体谐振器晶片的加工方法，其特征在于，所述对所述研磨晶片的表层进行抛光，得到抛光晶片的步骤包括：

使用4B抛光机，对所述三次研磨晶片的表面进行抛光，得到所述抛光晶片。

9.根据权利要求1所述的晶体谐振器晶片的加工方法，其特征在于，所述对所述抛光晶片进行二次改圆和磨削，得到目标晶片的步骤包括：

对所述抛光晶片进行二次改圆，得到二次改圆晶片；

对所述二次改圆晶片进行二次磨削，得到所述目标晶片，其中，磨削的两平台方向垂直于晶片的光轴方向。

10.根据权利要求2所述的晶体谐振器晶片的加工方法，其特征在于，所述切割角度为35°22'～35°24'，切割厚度为0.19mm～0.21mm。