[发明专利]一种复合功率晶体管装置及其控制方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

第一开关组件，包括并联的耦合在所述装置的第一极与第二极之间的第一数量晶体管单元，其中，所述第一数量晶体管单元的栅极彼此耦合，并且所述第一数量晶体管单元的所述栅极配置为耦合到第一栅极驱动电路的输出端；以及

第二开关组件，包括并联的耦合在所述装置的所述第一极与所述第二极之间的第二数量晶体管单元，其中，所述第二数量晶体管单元的栅极彼此耦合，并且所述第二数量晶体管单元的所述栅极配置为耦合到第二栅极驱动电路的输出端，以及其中，在所述第一栅极驱动电路的所述输出端与所述第二栅极驱动电路的所述输出端设置延时时间。

2.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第一极为所述装置的漏极；以及

所述第二极为所述装置的源极。

3.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第一开关组件和所述第二开关组件配置为与低边开关彼此串联地耦合在第一电压总线与第二电压总线之间的高边开关，其中：

所述第一数量大于所述第二数量；

一旦所述低边开关关断，所述第二开关组件导通；以及

在从所述第二开关组件导通时刻开始的所述延时时间后，所述第一开关组件导通。

4.根据权利要求3所述的装置，其中：

先导通所述第二开关组件配置为抑制所述高边开关与所述低边开关相耦合节点处的LC振荡电压。

5.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第一开关组件和所述第二开关组件配置为和所述高边开关彼此串联地耦合在第一电压总线和第二电压总线之间的所述低边开关，以及其中：

所述第一数量大于所述第二数量；

在所述第一开关组件关断后所述第二开关组件保持导通；以及

一旦所述第二开关组件关断，至少部分所述高边开关导通。

6.根据权利要求5所述的装置，其中：

在从所述第一开关组件关断时刻到所述至少部分所述高边开关导通时刻之间死区时间内，所述第二开关组件的延迟关断被配置为防止所述低边开关的体二极管导通。

7.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第一开关组件和所述第二开关组件被集成在包括漏极，源极，第一栅极以及第二栅极的一个半导体封装中，以及其中：

所述漏极耦合到所述第一数量晶体管单元和所述第二数量晶体管单元的漏极；

所述源极耦合到所述第一数量晶体管单元和所述第二数量晶体管单元的源极；

所述第一栅极耦合到所述第一栅极驱动电路的所述输出端；以及

所述第二栅极耦合到所述第二栅极驱动电路的所述输出端。

8.一种方法包括：

关断低边开关的第一开关组件；

在所述低边开关的所述第一开关组件关断后的第一延时时间后，关断所述低边开关的第二开关组件；

导通高边开关的第二开关组件；以及

在导通所述高边开关的所述第二开关组件导通后的第二延时时间后，导通所述高边开关的所述第一开关组件。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在所述高边开关导通过程中，一旦所述低边开关的所述第二开关组件关断，导通所述高边开关的所述第二开关组件。

10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在所述高边开关导通过程中，在所述低边开关的所述第二开关组件关断与所述高边开关的所述第二开关组件导通之间设置第一预设死区时间。

11.根据权利要求8所述的方法，其中：

在第一预设重叠时间内，在所述高边开关导通过程中，所述低边开关的所述第二开关组件和所述高边开关的所述第二开关组件都处于导通状态。