[发明专利]一种双层电子传输层及其制备方法和钙钛矿太阳电池

权利要求书

1.一种双层电子传输层，其特征在于，包括二氧化锡层和式(I)所示结构的羧酸亚锡层；

其中，R为正辛基或者异辛基。

2.根据权利要求1所述的双层电子传输层，其特征在于，所述羧酸亚锡层为异辛酸亚锡层。

3.根据权利要求1所述的双层电子传输层，其特征在于，所述二氧化锡层与羧酸亚锡层的厚度之比为1:1-1.2:1。

4.根据权利要求1所述的双层电子传输层，其特征在于，所述二氧化锡层的厚度为12-28nm，优选为14-18nm。

5.根据权利要求1所述的双层电子传输层，其特征在于，所述羧酸亚锡层的厚度为10-30nm，优选为15-18nm。

6.一种权利要求1-5中任一所述的双层电子传输层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用反应等离子体沉积法制备二氧化锡层，采用旋涂法在二氧化锡层上制备所述的羧酸亚锡层。

7.根据权利要求6所述的双层电子传输层的制备方法，其特征在于，在所述反应等离子体沉积过程中，靶材采用二氧化锡颗粒，生长前腔室气压抽至7×10^-4～6×10^-4Pa，电子枪和腔室分别通入75～85sccm和28～32sccm的氩气作为辉光气体，沉积过程中腔室气压维持在0.5～0.6Pa，沉积时间控制为40s～90s，氧气通量控制为8sccm～10sccm，沉积功率控制为23A～27A，优选的，沉积时间控制为50s～60s。

8.根据权利要求6所述的双层电子传输层的制备方法，其特征在于，制备所述的羧酸亚锡层的过程中，将羧酸亚锡的无水乙醇溶液与环己烷混合得到混合溶液，然后采用旋涂法将混合溶液涂布在二氧化锡层上，经退火后制得羧酸亚锡层，优选的，混合溶液中，羧酸亚锡的浓度为2wt％-7wt％；优选的，旋涂的转速为5000-6000rpm；优选的，退火温度为150-180℃，时间为20-30分钟。

9.一种钙钛矿太阳电池，其特征在于，包括权利要求1-5中任一所述的双层电子传输层或者权利要求6-8中任一所述的制备方法制得的双层电子传输层，优选的，还包括透明导电衬底、钙钛矿吸光层、钙钛矿钝化层、空穴传输层和电极。

10.根据权利要求9所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述透明导电衬底选自FTO导电玻璃或ITO导电玻璃；和/或，所述钙钛矿吸光层为厚度500～800nm的钙钛矿薄膜；和/或，所述钙钛矿钝化层选自PEAI、MABr或GuaBr中的一种；和/或，所述空穴传输层选自Spiro-OMeTAD、PTAA、NiO_X或MoO_X中的一种或多种；和/或，所述电极为厚度80～120nm的金电极。