[发明专利]高集成度低损耗的光子卷积计算单元及光子卷积计算芯片在审
| 申请号： | 202310372760.4 | 申请日： | 2023-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN116559999A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 梅峰;祝连庆;王一豪;鹿利单;卢文达;赖晓翰 | 申请（专利权）人： | 国网浙江省电力有限公司信息通信分公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/122;G06N3/0464;G06N3/067 |
| 代理公司： | 北京恒律知识产权代理有限公司 11416 | 代理人： | 庞立岩 |
| 地址： | 310007 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成度 损耗 光子 卷积 计算 单元 芯片 | ||
1.一种高集成度低损耗的光子卷积计算单元，其特征在于，所述光子卷积计算单元包括：衬底，以及在衬底上沉积的包覆层；在所述包覆层内沉积侧波导和光子晶体纳米梁；
其中，在所述侧波导与所述光子晶体纳米梁的耦合区域，所述侧波导偏离所述光子晶体纳米梁的一侧沉积一凸出部，使所述侧波导形成T型波导。
2.根据权利要求1所述的光子卷积计算单元，其特征在于，所述衬底的厚度为2微米，所述包覆层的厚度为4.72微米；
所述侧波导和所述光子晶体纳米梁的厚度为220纳米；所述凸出部的厚度为220纳米。
3.根据权利要求2所述的光子卷积计算单元，其特征在于，所述凸出部的宽度为450纳米，长度为450纳米。
4.根据权利要求1所述的光子卷积计算单元，其特征在于，所述光子晶体纳米梁半径渐变的圆孔的渐变周期26，渐变常数为330纳米；
所述光子晶体纳米梁半径渐变的圆孔的中心圆孔半径为40纳米，所述光子晶体纳米梁半径渐变的圆孔的边侧圆孔半径为110纳米。
5.根据权利要求1所述的光子卷积计算单元，其特征在于，所述包覆层的上表面，位于所述侧波导与所述光子晶体纳米梁的耦合区域沉积Ti加热器。
6.一种高集成度低损耗的光子卷积计算芯片，其特征在于，所述光子卷积计算芯片包括权利要求1至5中任一权利要求所述光子卷积计算单元阵列形成的卷积池阵列。
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