[发明专利]有机气体分离膜基膜制备工艺

权利要求书

1.有机气体分离膜基膜制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S110：基膜铸膜液制作：

1)将PVDF烘干脱水；

2)取80重量份数的PVDF、15重量份数的DMAC和NMP的混合物置入反应釜内，在110℃-125℃温度下，以搅拌转速20-150rpm，搅拌24h-48h；

3)取3-5重量份数的PEG2000和PVP的混合物置入反应釜中，搅拌2h；

4)再向反应釜中加入1-2重量份数的无水氯化钙，搅拌2h；

5)将反应釜降温至100℃，保持6h；

6)将反应釜降温至60℃，保持6h；

7)将反应釜降温至40℃，保持6h；

8)将反应釜降温至20℃，保持12h，制得基膜铸膜液；

S120：基膜刮膜，将盛装基膜铸膜液的反应釜接刮膜机料槽，进行刮膜，并形成初基膜；

S130：基膜水洗，将刮好的初基膜转移至水洗设备，在80℃水温、水洗速度5m/min条件下，水洗至洁净后，得到基膜支撑膜；

S140：基膜烘干，将带水的基膜支撑膜装入烘干机中烘干，收卷即得基膜。

2.根据权利要求1所述有机气体分离膜基膜制备工艺，其特征在于，所述步骤S120中，刮膜机刮膜过程中，水槽温度为15℃-37℃，刮刀厚度为100μm-590μm，刮膜速度3m-5m/min，张力10N-20N。

3.根据权利要求1所述有机气体分离膜基膜制备工艺，其特征在于，所述步骤S130中，水洗次数为8-12次；在水洗完成后，将洗后的基膜在90℃水箱内浸泡24h-48h。

4.根据权利要求1所述有机气体分离膜基膜制备工艺，其特征在于，所述步骤S140中，烘干机的烘干温度为90℃-120℃，烘干速度0.5-1m/min。