[发明专利]一种具有异质结构耦合腔的多层石墨烯宽带吸收器

权利要求书

1.一种具有异质结构耦合腔的多层石墨烯宽带吸收器，其特征在于，包括：

基底层以及设置于所述基底层上的若干石墨烯层，在每一个所述石墨烯层两侧分别设置有一层光子晶体阵列和一层平板层；通过所述光子晶体阵列、所述石墨烯层以及所述平板层在所述基底层上形成若干个异质结构的耦合腔。

2.根据权利要求1所述的具有异质结构耦合腔的多层石墨烯宽带吸收器，其特征在于，所述光子晶体阵列中的光子晶体呈正方晶格分布或三角晶格分布；所述光子晶体包括若干个柱体元胞，所述柱体元胞的形状为圆柱、椭圆柱、方形柱、长方形柱、三角柱、多边形柱中的一种；同一个光子晶体内的若干个柱体元胞的排布方式为环状排布、正方晶格排布、三角晶格排布中的一种。

3.根据权利要求2所述的具有异质结构耦合腔的多层石墨烯宽带吸收器，其特征在于，所述柱体元胞的材质为第一高折射率介质，所述第一高折射率介质的折射率大于2.5。

4.根据权利要求1所述的具有异质结构耦合腔的多层石墨烯宽带吸收器，其特征在于，所述平板层的横截面形状为圆形、椭圆形、方形、长方形、三角形、多边形中的一种。

5.根据权利要求1所述的具有异质结构耦合腔的多层石墨烯宽带吸收器，其特征在于，所述平板层的材质为第二高折射率介质，所述第二高折射率介质的折射率大于2.5。

6.根据权利要求1所述的具有异质结构耦合腔的多层石墨烯宽带吸收器，其特征在于，所述基底层包括衬底层和反射层，所述衬底层的材质为低折射率介质，所述低折射率介质的折射率小于2.0。

7.根据权利要求6所述的具有异质结构耦合腔的多层石墨烯宽带吸收器，其特征在于，所述衬底层的材料为二氧化硅；所述反射层的材料为贵金属，所述贵金属为金或银。

8.根据权利要求1所述的具有异质结构耦合腔的多层石墨烯宽带吸收器，其特征在于，在所述石墨烯层上设置有电极，所述电极选自金电极、合金电极中的一种或两种。

9.根据权利要求1所述的具有异质结构耦合腔的多层石墨烯宽带吸收器，其特征在于，在所述石墨烯层与所述光子晶体阵列之间的间隙以及所述平板层与所述石墨烯层之间的间隙中填充有高分子聚合物。

10.根据权利要求9所述的具有异质结构耦合腔的多层石墨烯宽带吸收器，其特征在于，所述高分子聚合物为PMMA。