[发明专利]硫系玻璃基底上镀制增透膜膜系的制备方法

权利要求书

1.一种硫系玻璃基底上镀制增透膜膜系的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1，将作为镜片的硫系玻璃基底的陪镀片和产品的表面进行清洁处理，硫系玻璃基底的陪镀片的厚度为0.9-1.5mm且硫系玻璃基底的陪镀片采用硫系玻璃牌号IG06；

S2，将清洁处理好的包括陪镀片和产品的镜片放入工装夹具，放好镜片的工装夹具挂入真空镀膜机的腔体内，腔体的温度设定为120-130℃；

S3，真空镀膜机启动抽真空，真空度达到1×10^-3Pa，打开真空镀膜机的辅助镀膜的离子源进行清洗，清洗时间为6min，离子源的阳极电压为220V、阳极电流为1.2-1.5A、发射极的电流为1.3-1.5A；

S4，维持前述真空度，在镜片的对应面蒸镀第一Ge膜层，第一Ge膜层的沉积速率为0.3nm/s，控制第一Ge膜层的膜厚为63nm±3nm，离子源辅助蒸镀；

S5，在镀制的第一Ge膜层上蒸镀第一ZnS膜层，第一ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s，控制第一ZnS膜层的膜厚为123nm±4nm，离子源辅助蒸镀；

S6，在镀制的第一ZnS膜层上蒸镀第二Ge膜层，第二Ge膜层沉积的速率为0.3nm/s，控制第二Ge膜层的膜厚为307nm±5nm，离子源辅助蒸镀；

S7，在镀制的第二Ge膜层上蒸镀第二ZnS膜层，第二ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s，控制第二ZnS膜层的膜厚为63nm±3nm，离子源辅助蒸镀；

S8，在镀制的第二ZnS膜层上蒸镀第三Ge膜层，第三Ge膜层沉积的速率为0.3nm/s，控制第三Ge膜层的膜厚为90nm±3nm，离子源辅助蒸镀；

S9，在镀制的第三Ge膜层上蒸镀第三ZnS膜层，第三ZnS膜层的沉积速率为0.8nm/s，控制第三ZnS膜层的膜厚为215nm±5nm，离子源辅助蒸镀；

S10，在镀制的第三ZnS膜层上蒸镀YbF₃膜层，YbF₃膜层沉积的速率为0.6nm/s，控制YbF₃膜层的膜厚为300nm±5nm，离子源辅助蒸镀；

S11，在镀制的YbF₃膜层上蒸镀第四ZnS膜层，第四ZnS膜层沉积的速率为0.8nm/s，控制第四ZnS膜层的膜厚为75nm±3nm，离子源辅助蒸镀；

S12，镀制完成后，待真空室冷却至80℃以下取出对应面镀制好的镜片；

S13，重复步骤S1至步骤S12，在镜片的相反的另一面依次蒸镀第一Ge膜层、第一ZnS膜层、第二Ge膜层、第二ZnS膜层、第三Ge膜层、第三ZnS膜层、YbF₃膜层以及第四ZnS膜层。

2.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制增透膜膜系的制备方法，其特征在于，

在步骤S1中，硫系玻璃基底的陪镀片的厚度为1.0mm；

在步骤S1中，采用超声波或手擦对镜片的表面进行清洁处理。

3.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制增透膜膜系的制备方法，其特征在于，

在步骤S2中，腔体的温度设定为125℃。

4.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制增透膜膜系的制备方法，其特征在于，

在步骤S3中，阳极电流为1.2A、发射极的电流为1.5A。

5.根据权利要求1所述的硫系玻璃基底上镀制增透膜膜系的制备方法，其特征在于，

在步骤S3中，离子源为霍尔离子源。