[发明专利]表面粗糙化方法在审
| 申请号： | 202310328502.6 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116581220A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王晓冉;徐耿钊;刘争晖;张春玉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;刘燚圣 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 粗糙 方法 | ||
1.一种用于MicroLED器件的表面粗糙化方法，其特征在于，所述表面粗糙化方法包括：
制备得到MicroLED器件，其中所述MicroLED器件中p型氮化镓层的外表面具有预定角度范围的斜切角；
将所述MicroLED器件置于预先制备的腐蚀溶液中，经过预定时长后在所述p型氮化镓层的外表面形成粗糙化结构。
2.根据权利要求1所述的表面粗糙化方法，其特征在于，所述斜切角为所述p型氮化镓层中氮化镓晶体的斜切面与面之间或斜切面与(0001)面之间的夹角，所述斜切面为向着氮化镓晶体的面切割时形成的切面。
3.根据权利要求2所述的表面粗糙化方法，其特征在于，所述预定角度范围为0.2°～8°。
4.根据权利要求1所述的表面粗糙化方法，其特征在于，在制备MicroLED器件过程中，采用激光剥离工艺将所述p型氮化镓层从衬底上剥离，在剥离过程中在所述p型氮化镓层的外表面形成斜切角。
5.根据权利要求1所述的表面粗糙化方法，其特征在于，所述表面粗糙化方法还包括：
将所使用的腐蚀溶液置于超声波水浴设备中进行超声处理。
6.根据权利要求1所述的表面粗糙化方法，其特征在于，所述腐蚀溶液为pH范围为3.0～1.0的酸溶液。
7.一种表面粗糙化方法，其特征在于，所述表面粗糙化方法包括：
在p型氮化镓层的表面形成预定角度范围的斜切角；
将所述p型氮化镓层置于预先制备的腐蚀溶液中，经过预定时长后在所述表面形成粗糙化结构。
8.根据权利要求7所述的表面粗糙化方法，其特征在于，所述斜切角为所述p型氮化镓层中氮化镓晶体的斜切面与面之间或斜切面与(0001)面之间的夹角，所述斜切面为向着氮化镓晶体的晶面切割时形成的切面，所述预定角度范围为0.2°～8°。
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