[发明专利]对版图进行光学邻近效应校正的方法、装置及存储介质

说明书

本申请涉及集成电路版图设计技术领域，具体而言，涉及一种对版图进行光学邻近效应校正的方法、装置及存储介质，一定程度上可以解决对相同图形进行多次校正而造成大量重复计算的问题。本申请提供了对版图进行光学邻近效应校正的方法包括：获取集成电路版图中单元的包围盒，单元对应的包围盒的面积不小于第一预设阈值，单元包括至少一个子单元，子单元为具有几何形状的图形；将单元中任意相邻的预设数量个子单元进行组合，得到第一组合子单元；将第一组合子单元与单元中其他相邻的子单元进行比较，确定第一重复子单元；将第一重复子单元和单元中除第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，以对其进行校正，得到校正后的版图。

技术领域

本申请涉及集成电路版图设计技术领域，具体而言，涉及一种对版图进行光学邻近效应校正的方法、装置及存储介质。

背景技术

集成电路版图是集成电路从设计走向制造的桥梁，集成电路制造厂家把包含图形的集成电路版图制造具有掩膜图形的掩膜版，再通过掩膜版结合光刻工艺制造出集成电路版图，集成电路版图可简称为版图。光刻工艺是集成电路制造的主要工艺，光刻工艺的任务是实现掩膜版上的掩膜图形向硅表面各层材料上的转移，具体为通过投影光将掩膜版的掩膜图形传播到硅片上，在硅片上得到与掩膜图形相关的光刻图形。

但是，根据光波衍射和干涉原理，投影光的光波通过掩膜版时将发生衍射，掩膜版不同位置之间的光波还会发生干涉，导致在硅片上形成的光刻图形与掩膜图形之间存在一定偏差，特别是在不同掩膜图形之间相互邻近的部位，由于光波干涉和衍射作用明显，偏差相对较大，例如，在线段顶端和图形拐角等图形部位处偏差就比较明显，而这些图形部位往往是对电路的电学性能和电路功能起关键作用的地方，从而影响了整个芯片的性能，甚至导致电路失效。我们将这种由于光波衍射和干涉作用而使光刻图形与掩膜图形产生偏差的现象称为光学邻近效应(OPE，Optical Proximity Effect)。

在光刻工艺中，光学邻近效应是不可避免的，因此在光刻前，通过光学邻近效应校正(OPC，Optical Proximity Correction)模型移动集成电路版图中图形的边缘、或者为集成电路版图中的图形添加额外的多边形等方法，对集成电路版图中的图形进行校正，进一步使得按照集成电路版图制造的掩膜版上的掩膜图形也是经过光学邻近校正后的图形，达到了在光刻时减小掩膜图形到光刻图形的偏差，以保证芯片的性能和成品率的目的。

然而随着集成电路技术的不断发展，集成电路版图中包含的图形数量在急速增加，同时有些图形被多次实例化在集成电路版图中，存在相同图形在集成电路版图中重复出现的问题。当对集成电路版图中的图形进行校正时，出现对相同图形进行多次校正的情况，造成了大量重复计算，增大了校正过程的计算量、降低了校正效率降低。

发明内容

为了解决对相同图形进行多次校正而造成大量重复计算的问题，本申请提供了一种对版图进行光学邻近效应校正的方法、装置及存储介质。

本申请的实施例是这样实现的：

本申请实施例的第一方面提供一种对版图进行光学邻近效应校正的方法，所述方法包括：

获取集成电路版图中单元的包围盒，所述单元对应的包围盒的面积不小于第一预设阈值，所述单元包括至少一个子单元，所述子单元为具有几何形状的图形；

将所述单元中任意相邻的预设数量个子单元进行组合，得到第一组合子单元；

将所述第一组合子单元与所述单元中其他相邻的子单元进行比较，确定第一重复子单元，所述第一重复子单元包括的相邻子单元的数量、排列方式和几何形状均与所述第一组合子单元相同；

将所述第一重复子单元和所述单元中除所述第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，以对其进行校正，得到校正后的集成电路版图。

在一些实施例中，从所述单元中选取相邻的至少两个子单元进行组合，得到第一组合子单元之后，所述方法还包括：