[发明专利]一种器件芯片中凹槽及间隙的加工方法

权利要求书

1.一种器件芯片中凹槽及间隙的加工方法，其特征在于，所述器件芯片包括：基衬底、盖衬底以及器件层，其中，所述盖衬底与所述基衬底间隔设置，所述器件层设置在所述基衬底和所述盖衬底之间；所述器件层包括电极、连接部以及致动部，所述连接部分别与所述基衬底和所述盖衬底固定连接，所述电极与所述基衬底固定连接并与所述盖衬底电连接，所述致动部与所述连接部耦合；所述致动部与所述电极之间设置有间隙，以使所述致动部和所述电极之间形成电容；所述电极用于接收电信号，并根据所述电信号驱动所述致动部；所述电极上设置有凹槽，所述凹槽沿所述电极的厚度方向延伸，且所述凹槽的开口朝向所述盖衬底；

所述凹槽及间隙一次成型，其加工方法如下：

根据所述器件层的厚度设计凹槽和间隙的宽度，其中，所述间隙的宽度大于所述凹槽的宽度；所述凹槽的宽度在0.7~2.0um之间，所述间隙的宽度在1~3um之间；

在器件层的晶圆上涂覆凹槽光刻胶；

进行DRIE刻蚀。

2.一种器件芯片中凹槽及间隙的加工方法，其特征在于，所述器件芯片包括：基衬底、盖衬底以及器件层，其中，所述盖衬底与所述基衬底间隔设置，所述器件层设置在所述基衬底和所述盖衬底之间；所述器件层包括电极、连接部以及致动部，所述连接部分别与所述基衬底和所述盖衬底固定连接，所述电极与所述基衬底固定连接并与所述盖衬底电连接，所述致动部与所述连接部耦合；所述致动部与所述电极之间设置有间隙，以使所述致动部和所述电极之间形成电容；所述电极用于接收电信号，并根据所述电信号驱动所述致动部；所述电极上设置有凹槽，所述凹槽沿所述电极的厚度方向延伸，且所述凹槽的开口朝向所述盖衬底；

所述凹槽及间隙分别加工成型，其加工方法如下：

在所述器件层的晶圆上涂覆凹槽光刻胶；

进行所述凹槽的刻蚀，其中，所述凹槽的宽度在0.7~2.0um之间，刻蚀16um深度；

冲洗掉所述凹槽光刻胶；

在刻蚀出所述凹槽的晶圆上再次涂覆间隙光刻胶；

进行所述间隙的刻蚀，其中，所述间隙的宽度大于所述凹槽的宽度，所述间隙的宽度在1~3um之间，将晶圆刻穿。

3.如权利要求1或2所述的加工方法，其特征在于，所述凹槽的宽度为0.8um，所述间隙的宽度为3um。

4.如权利要求1或2所述的加工方法，其特征在于，所述基衬底和盖衬底为硅基衬底。

5.如权利要求1或2所述的加工方法，其特征在于，所述器件层的材质为单晶硅。