[发明专利]一种微死区口内X射线传感器

说明书

本发明涉及一种微死区口内X射线传感器，包括图像传感器模块和传输模块，所述图像传感器模块包括依次设置的闪烁体、图像传感器及基板；X射线射入后，所述闪烁体将X射线转换成光信号，所述图像传感器将所述光信号转换成电信号，所述基板接收该电信号并输出；所述图像传感器采用堆叠式技术，将电路部分放到了成像区下面，采用堆叠技术实现了连接。解决了有效提高口内传感器的成像面积占比，以提高拍摄舒适度问题；本发明的成像面积占比可以达到90％以上。采用CMOS堆叠技术，像素阵列单独和处理单元分别平面，在原有的面积下可容纳的像素点数量增加，图像的质量也相应增加，并且除面板封装边框限制外成像面积可达100％。

技术领域

本发明涉及一种口内传感器领域，特别涉及一种微死区口内X射线传感器。

背景技术

如图1所示，为CMOS图像传感器的结构示意图，其中：

成像面积占比＝CMOS有效像素区面积/外壳面积；

死区面积＝外壳面积-CMOS有效像素区面积；

对于口内传感器的使用而言，提高成像面积占比，在拍同样面积的牙齿，外形可以做得更小，从而提高拍摄舒适度。

CMOS图像传感器与处理单元ADC、放大器、锁存器等处于同一基板平面、逻辑处理单元会占用部分面积，形成探测死区，成像面积不能布满整个面板。在小体积低电压低功耗化的今天，即使占用很小一部分面积也会限制传感器产品的性能。受到限制的情况下，传统的成像面积占比普遍在50％～60％左右。

发明内容

针对有效提高口内传感器的成像面积占比，以提高拍摄舒适度问题，提出了一种微死区口内X射线传感器。

本发明的技术方案为：

一种微死区口内X射线传感器，包括图像传感器模块和传输模块，所述图像传感器模块包括依次设置的闪烁体、图像传感器及基板；

X射线射入后，所述闪烁体将X射线转换成光信号，所述图像传感器将所述光信号转换成电信号，所述基板接收该电信号并输出；

所述图像传感器采用堆叠式技术，将电路部分放到了成像区下面，采用堆叠技术实现了连接。

优选的，所述图像传感器为CMOS图像传感器。

优选的，所述图像传感器为3层堆叠式CMOS图像传感器：上层为背照式CMOS图像传感器，中层为DRAM，下层为逻辑外围电路。

其中，所述传输模块包括USB连接线。

其中，所述图像传感器内的感光像素芯片引入列并行ADC电路。

其中，所述图像传感器内的感光像素芯片与逻辑电路芯片使用Cu-Cu连接。

本发明的有益效果在于：

本发明的成像面积占比可以达到90％以上。采用CMOS堆叠技术，像素阵列单独和处理单元分别平面，在原有的面积下可容纳的像素点数量增加，图像的质量也相应增加，并且除面板封装边框限制外成像面积可达100％。处理单元层增加的面积可用作优化，构建芯片电路，进一步提高成像质量。

附图说明

图1为背景技术中CMOS图像传感器的结构示意图；

图2为本发明的整体结构示意图；

图3为本发明的图像传感器的组成结构示意图；

图4为本发明传感器的堆叠式与传统的背照式技术对比示意图；

图5为本发明是否引入列并行ADC的对比示意图；

图6为本发明利用Cu-Cu连接替代TSV的对比示意图；