[发明专利]一种抛光垫中上层垫的加工方法

说明书

本发明提供了一种抛光垫中上层垫的加工方法，所述加工方法包括以下步骤：(1)将抛光垫中待铣面上层垫进行裁剪；(2)固定步骤(1)所述裁剪后的待铣面上层垫，然后进行铣削处理。所述加工方法通过对待铣面上层垫进行裁剪，减少了加工量，进而能够提高了上层垫的铣削速度，缩短了加工时间并降低了刀具磨损，在保证质量的同时提高了加工效率。

技术领域

本发明属于化学机械抛光技术领域，尤其涉及一种抛光垫中上层垫的加工方法。

背景技术

近年来，为了降低硅集成电路的生产成本，硅片尺寸逐渐增加，其上电子元件集成度更高，器件的特殊尺寸也在不断缩小。加工过程中，为了保证光刻质量，硅片的表面平整度要求达到纳米级。而化学机械抛光(CMP，Chemical Mechanical Polish)是目前唯一能实现目的的方法。抛光垫在化学机械抛光过程中承担了物理抛光及承载抛光液等功能，其产品质量对加工品质至关重要。

化学机械抛光工艺通常在需要通过两段抛光，晶圆片才可以得到高平坦度的表面。第一步骤为粗抛，用较硬的抛光垫(例如IC1000)平面化晶片并且去除大量多余材料；第二步骤为精抛，去除在粗抛期间引入的划痕等缺陷。在半导体晶片的化学机械抛光加工中经常使用树脂制成的抛光垫，其中，上层垫是抛光垫的组成部分之一，其担任着主要的研磨部位，它的主要成分为聚氨酯。

现有技术中，在粗抛过程中抛光垫铣面加工时间过剩，现有工艺中铣削量为直径约780mm的上层垫表面，但后道工序用到的量只有550mm左右，导致部分材料浪费，目前只能通过调制程序中的参数可以加快一定的速度来增加效率。但上述加工方法不仅消耗了更多材料，还导致加工时间延长以及刀具的磨损，形成了不必要的浪费。

因此，针对现有技术中的缺陷，设计一种上层垫的加工方法，减少时间成本和物料的损失，使加工实现高效率低成本是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种抛光垫中上层垫的加工方法，通过对待铣面上层垫进行裁剪，减少了加工量，进而能够提高了上层垫的铣削速度，缩短了加工时间并降低了刀具磨损，使加工实现高效率低成本。

为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供了一种抛光垫中上层垫的加工方法，所述加工方法包括以下步骤：

(1)将抛光垫中待铣面上层垫进行裁剪；

(2)固定步骤(1)所述裁剪后的待铣面上层垫，然后进行铣削处理。

本发明所述方法通过对待铣面上层垫进行裁剪，减少了加工量，进而能够提高上层垫的铣削速度，缩短了加工时间并降低了刀具磨损，在保证质量的同时提高了加工效率。

作为本发明优选的技术方案，步骤(1)所述裁剪为：将待铣面上层垫通过真空吸力固定，然后采用数字裁剪机进行裁剪。

优选地，经步骤(1)所述裁剪后，待铣面上层垫的直径为550-560mm，例如可以是551mm、552mm、553mm、554mm、555mm、556mm、557mm、558mm或559mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用，优选为558mm。

本发明中，未经裁剪的所述待铣面上层垫的直径为750-800mm。

本发明中，将待铣面上层垫裁剪后，从根本上减少上层垫的铣削量，减少时间成本和机物料的损失，使其加工实现高效率低成本。

作为本发明优选的技术方案，步骤(2)所述固定采用夹具进行。

优选地，所述夹具的结构为空心圆环。

本发明中，所述夹具与上层垫的圆心重合。

优选地，所述夹具包括经步骤(1)所述裁剪后的剩余上层垫。