[发明专利]一种用于定量FRET成像的激发光强度自动校准装置及方法在审
申请号: | 202310235910.7 | 申请日: | 2023-03-13 |
公开(公告)号: | CN116593427A | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 罗泽伟;孔梦婷;陈同生 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 李斌 |
地址: | 510631 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 定量 fret 成像 激发 强度 自动 校准 装置 方法 | ||
1.一种用于定量FRET成像的激发光强度自动校准装置,其特征在于,包括FRET多波长合束光源、光束分束装置、光强探测器、下位机以及上位机;
所述FRET多波长合束光源用于产生FRET显微成像过程中供体通道和受体通道的激发光;
所述光束分束装置用于接收FRET多波长合束光源产生的激发光并按照预设比例进行分光;
所述光强探测器用于探测分光光路中供体激发光和受体激发光的部分光强;
所述上位机分别与下位机、光强探测器连接,用于接收光强探测器发送的通道的激发光强信息并计算D/A通道光强比值偏差,将光强补偿指令发送至下位机;
所述下位机与FRET多波长合束光源相连,用于根据上位机的指令进行光强控制。
2.根据权利要求1所述的一种用于定量FRET成像的激发光强度自动校准装置,其特征在于,所述FRET多波长合束光源包括至少两种不同激发波长的光源:供体激发光源,以及受体激发光源;所述FRET多波长合束光源还利用下位机进行通道切换。
3.根据权利要求1所述的一种用于定量FRET成像的激发光强度自动校准装置,其特征在于,所述光束分束装置设置于FRET多波长合束光源的出射光路前,其分光光路的一路导入到光强探测器中,另一路作为FRET光源输出光。
4.根据权利要求1所述的一种用于定量FRET成像的激发光强度自动校准装置,其特征在于,所述下位机分别通过串口通信与光强探测器、上位机连接;所述下位机在接收到上位机的控制指令后,通过数模转换以模拟电压调制外触发的方式对FRET多波长合束光源进行通道选择和光强控制。
5.一种用于定量FRET成像的激发光强度自动校准方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取D/A通道光源基线值、染料及通道光强比配置;
根据D/A通道光源基线值拟合得到D/A通道光源基线线性区间;
根据光强比配置得到D/A通道光强线性区间的映射关系并获得当前配置下FRET激发光强度调整函数;
根据FRET激发光强度调整函数遍历调制量程范围,得到所有点的D/A通道光强理论值,并利用光强探测器测量D/A通道光强实际值;
根据D/A通道光强理论值和实际值,计算D/A通道光强比值偏差;
判断D/A通道光强比偏差是否小于设定阈值:
当偏差大于阈值时,通过闭环控制补偿D/A通道光强线性区间FRET激发光强度调整函数参数并重新测量、计算D/A通道光强比值偏差;
当偏差小于阈值时,根据上述步骤中定量荧光共振能量转移成像的激发光强度自动校准结果判断串扰系数是否已知;当串扰系数未知时重新测量该通道染料及光强比配置对应的串扰系数,当串扰系数已知时保存当前配置下FRET激发光强度调整函数以及串扰系数结果。
6.根据权利要求5所述的一种用于定量FRET成像的激发光强度自动校准方法,其特征在于,所述拟合得到D/A通道光源基线线性区间,具体为:
采用Sigmoid函数通过最小二乘拟合D/A通道光源基线,选取所得Sigmoid函数拟合结果的二阶导数的拐点作为线性范围区间的端点得到光源基线线性区间。
7.根据权利要求5所述的一种用于定量FRET成像的激发光强度自动校准方法,其特征在于,所述当前配置下FRET激发光强度调整函数,具体为:
以上位机的强度调制指令作为自变量,以FRET激发光根据D/A通道光强线性区间的映射关系得到的D/A通道激发光强作为因变量构建函数映射关系,即为当前配置下FRET激发光强度调整函数。
8.根据权利要求5所述的一种用于定量FRET成像的激发光强度自动校准方法,其特征在于,所述计算D/A通道光强比值偏差,具体为:
所述D/A通道光强比值偏差为FRET激发光强度调整函数映射的D/A通道光强理论值和光强探测器所测得的D/A通道光强实际值的差值。
9.根据权利要求5所述的一种用于定量FRET成像的激发光强度自动校准方法,其特征在于,所述串扰系数通过单转供体的样本和单转受体的样本测定,具体为:
a=IDA(A)/IAA(A)
b=IDD(A)/IAA(A)
c=IAA(D)/IDD(D)
d=IDA(D)/IDD(D)
其中,串扰系数a和b是对IDA和IDD通道的受体荧光串扰进行校正的参数,串扰系数c和d是对iAA和IDA通道的受体荧光串扰进行校正的参数;IDD是使用激发供体时在供体通道探测到的荧光强度,IDA是供体激发时在受体通道探测到的荧光强度;IAA是受体激发时在受体通道探测到的荧光强度;括号中表示测量的生物样本,其中D代表单转供体的样本,A代表单转受体的样本。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学,未经华南师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310235910.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。