[发明专利]片上射频雷达发射系统、片上射频雷达

权利要求书

1.一种片上射频雷达发射系统，其特征在于，所述系统包括：

压控振荡器，包括LC谐振腔，用于输出本振信号，其中，所述LC谐振腔中的电感复用变压器的初级线圈；

所述变压器，所述变压器的次级线圈的第一端为输出端，所述变压器的次级线圈的第二端接地，所述变压器用于对所述本振信号进行差分转单端处理，并将处理后的本振信号通过所述输出端输出。

2.根据权利要求1所述的片上射频雷达发射系统，其特征在于，所述LC谐振腔还包括：

第一电容阵列和第二电容阵列，所述第一电容阵列的第一端与所述第二电容阵列的第一端连接，并用以接入控制电压，所述第一电容阵列的第二端与所述变压器的初级线圈的第一端连接，所述第二电容阵列的第二端与所述变压器的初级线圈的第二端连接。

3.根据权利要求2所述的片上射频雷达发射系统，其特征在于，所述第一电容阵列包括：

第一可变电容，所述第一可变电容的一端用以接入控制电压，所述第一可变电容的另一端与所述变压器的初级线圈的第一端连接。

4.根据权利要求3所述的片上射频雷达发射系统，其特征在于，所述第二电容阵列，包括：

第二可变电容，所述第二可变电容的一端用以接入控制电压，所述第二可变电容的另一端与所述变压器的初级线圈的第二端连接。

5.根据权利要求4所述的片上射频雷达发射系统，其特征在于，所述第一电容阵列还包括N个第一电容，所述第二电容阵列还包括N个第二电容，N个所述第一电容与N个所述第二电容一一对应，N为正整数；其中，

每个所述第一电容的一端与所述第一可变电容的另一端连接，每个所述第一电容的另一端用过可控开关与对应的述第二电容的一端连接，每个所述第二电容的另一端与所述第二可变电容的另一端连接。

6.根据权利要求2所述的片上射频雷达发射系统，其特征在于，所述压控振荡器还包括：

负阻电路，所述负阻电路的第一端与预设电源连接，所述负阻电路的第二端接地，所述负阻电路的第三端与所述初级线圈的第一端连接，所述负阻电路的第四端与所述初级线圈的第二端连接，所述负阻电路用于提供负阻。

7.根据权利要求6所述的片上射频雷达发射系统，其特征在于，所述负阻电路包括：第一开关管、第二开关管、第三开关管和第四开关管；其中，

所述第一开关管的第一端与所述第一电容阵列的第二端连接，所述第一开关管的控制端与所述第二开关管的第一端连接，所述第一开关管的第二端与预设电源连接；

所述第二开关管的第一端还与所述第二电容阵列的第二端连接，所述第二开关管的控制端与所述第一开关管的第一端连接，所述第二开关管的第二端与所述预设电源连接；

所述第三开关管的第一端与所述第一电容阵列的第二端连接，所述第三开关管的控制端与所述第四开关管的第一端连接，所述第三开关管的第二端接地；

所述第四开关管的第一端与所述第二电容阵列的第二端连接，所述第四开关管的控制端与所述第三开关管的第一端连接，所述第四开关管的第二端接地。

8.根据权利要求7所述的片上射频雷达发射系统，其特征在于，所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管和所述第四开关管均为MOS管。

9.根据权利要求1所述的片上射频雷达发射系统，其特征在于，所述系统的尺寸为300×180μm²。

10.一种片上射频雷达，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的片上射频雷达发射系统。