[发明专利]一种银纳米线薄膜的制备方法

说明书

本申请涉及一种银纳米线薄膜的制备方法，该方法包括：提供银纳米线墨水；将所述银纳米线墨水涂布在基板表面，第一干燥处理得到第一薄膜；在所述第一薄膜的所述银纳米线表面上涂布单壁碳纳米管油墨，第二干燥处理得到第二薄膜；将所述第二薄膜的所述单壁碳纳米管表面使用硅烷偶联剂溶液处理后，将聚对二甲苯沉积于使用所述硅烷偶联剂溶液处理后的所述单壁碳纳米管表面上，得到银纳米线薄膜。该方法制备的银纳米线薄膜，通过硅烷偶联剂处理第二薄膜后，将聚对二甲苯沉积在第二薄膜的单壁碳纳米管表面，增加银线纳米的防护效果，提高银线纳米薄膜的抗氧化性能，减缓高温高湿环境下银线纳米薄膜的损坏。

技术领域

本申请属于纳米材料技术领域，具体涉及一种银纳米线薄膜的制备方法。

背景技术

银纳米线(Silver Nanowires，AgNWs)是直径约为10nm-200nm，长度约为5nm-100μm的一维银纳米材料，银纳米线除具有银优良的导电性之外，由于纳米级别的尺寸效应，还具有优异的透光性、耐曲挠性。因此被视为是最有可能替代传统氧化铟锡透明电极的材料，为实现柔性、可弯折LED显示、触摸屏等提供了更多可能。

银纳米线透明导电薄膜是一种将无数银纳米线与合适的有机交联体在柔性衬底上制成的导电薄膜，银纳米线用于透明薄膜有优异的导电性能、较高的透光率、良好的耐弯折性能等。

银纳米线作为电极，本身是以金属的形式存在，银纳米线表面长期暴露于空气中容易被氧化，尤其是在特殊环境中，例如高温高湿环境下，会加速银纳米线的氧化，这些氧化是不可修复的，会阻碍电子的传输，从而导致元器件的损坏。

发明内容

本申请实施方式主要解决的技术问题是提供一种银纳米线薄膜的制备方法，本申请中的银线纳米薄膜具备良好的抗氧化性能，具备耐高温高湿的特性，减缓元器件的损坏。

第一方面，本申请实施例提供的一种银纳米线薄膜的制备方法，所述方法包括：提供银纳米线墨水；将所述银纳米线墨水涂布在基板表面，第一干燥处理得到第一薄膜；在所述第一薄膜的所述银纳米线表面上涂布单壁碳纳米管油墨，第二干燥处理得到第二薄膜；将所述第二薄膜的所述单壁碳纳米管表面使用硅烷偶联剂溶液处理后，将聚对二甲苯沉积于使用所述硅烷偶联剂溶液处理后的所述单壁碳纳米管表面上，得到银纳米线薄膜。

在一些实施例中，所述聚对二甲苯沉积的厚度为100nm～200nm。

在一些实施例中，所述硅烷偶联剂溶液中硅烷偶联剂的含量为5％～10％。

在一些实施例中，所述将所述第二薄膜的所述单壁碳纳米管表面使用硅烷偶联剂溶液处理，包括：将硅烷偶联剂含量为5％～10％的硅烷偶联剂溶液，喷涂于第二薄膜的单壁碳纳米管表面后，放置于温度为100℃～130℃的干燥箱中，干燥10min～20min。

在一些实施例中，将聚对二甲苯沉积于使用所述硅烷偶联剂溶液处理后的所述单壁碳纳米管表面上，包括：将聚对二甲苯的固态二聚物在130℃～160℃的温度下汽化后，得到二聚物蒸汽；将所述二聚物蒸汽在650℃～700℃的温度下进行热解，得到活性单体；将所述活性单体在20℃～25℃的温度下，在所述硅烷偶联剂溶液处理后的所述单壁碳纳米管表面上聚合沉积。

在一些实施例中，所述第一干燥处理包括：干燥温度为140℃～160℃，干燥时长为15min～20min。

在一些实施例中，所述第二干燥处理包括：干燥温度60℃～100℃，干燥时间为15min～25min。

在一些实施例中，所述将所述银纳米线墨水涂布在基板表面之前，所述方法还包括，将所述基板表面进行等离子体处理。

在一些实施例中，所述基板选自PET膜、TAC薄膜、PEN薄膜、CPI膜、COP膜、PDMS膜和玻璃膜中的任意一种。

第二方面，本申请实施例提供的所述银线纳米薄膜为透明导电薄膜。