[发明专利]一种混合滤波器

说明书

本发明提供了一种混合滤波器，包括：声学谐振器和IPD滤波器；所述声学谐振器包括相对设置的基底和密封衬底，以及位于所述基底和所述密封衬底之间的第一功能膜层；所述IPD滤波器位于所述密封衬底背离所述基底的一侧；所述密封衬底具有第一通孔，所述IPD滤波器通过所述第一通孔与所述声学谐振器电连接。该混合滤波器通过将IPD滤波器和声学谐振器制造在同一芯片上，显然可以减小芯片面积，减小寄生干扰。

技术领域

本发明涉及滤波器技术领域，更具体地说，涉及一种混合滤波器。

背景技术

无源集成器件（Integrated Passive Devices，简称IPD）技术是利用薄膜电感、电容构成滤波器，可以实现高频、大带宽的性能要求；声学谐振器虽然不能实现大带宽的要求，但由于声学谐振器高Q值的优势，可以实现滤波器的快速滚降。

因此，在5G滤波器设计时可以结合IPD滤波器和声学谐振器的各自优势，以实现高性能滤波器。

但是，在现有技术中是分别制造IPD滤波器和声学谐振器，即IPD滤波器和声学谐振器是两个独立的芯片结构，然后再通过共用基板将二者封装在一起。

也就是说，目前没有一项技术可以将IPD滤波器和声学谐振器制造在同一芯片上。

发明内容

有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种混合滤波器，技术方案如下：

一种混合滤波器，所述混合滤波器包括：声学谐振器和IPD滤波器；

所述声学谐振器包括相对设置的基底和密封衬底，以及位于所述基底和所述密封衬底之间的第一功能膜层；

所述IPD滤波器位于所述密封衬底背离所述基底的一侧；

所述密封衬底具有第一通孔，所述IPD滤波器通过所述第一通孔与所述声学谐振器电连接。

优选的，在上述混合滤波器中，所述声学谐振器为表面波谐振器或体波谐振器或薄膜体声波谐振器。

优选的，在上述混合滤波器中，所述IPD滤波器包括：

用于形成无源组件的多层第二功能膜层，所述多层第二功能膜层位于所述密封衬底背离所述基底的一侧，且在第一方向上依次叠层设置；所述第一方向垂直于所述基底所在平面，且由所述基底指向所述密封衬底；

相邻两层所述第二功能膜层之间设置有介质层；

相邻两层所述第二功能膜层之间通过贯穿所述介质层的通孔电连接。

优选的，在上述混合滤波器中，所述无源组件包括电感、电容和电阻。

优选的，在上述混合滤波器中，所述基底的中间区域具有凹槽；

所述第一功能膜层包括：在第一方向上依次层叠设置的第一电极层、压电层和第二电极层；所述第一方向垂直于所述基底所在平面，且由所述基底指向所述密封衬底；

所述第一电极层在所述基底上的正投影完全覆盖所述凹槽在所述基底上的正投影；

所述第二电极层通过贯穿所述压电层的通孔与所述第一电极层电连接；

位于部分所述第二电极层与所述密封衬底之间的金属键合层；

所述IPD滤波器通过所述第一通孔与所述金属键合层电连接。

优选的，在上述混合滤波器中，所述第一功能膜层包括：

围绕所述基底边缘区域设置的支撑层；

在第一方向上依次层叠设置的第一电极层、压电层和第二电极层；所述第一方向垂直于所述基底所在平面，且由所述基底指向所述密封衬底；在所述第一方向上，所述第一电极层与所述基底之间存在间隔；

所述第二电极层通过贯穿所述压电层的通孔与所述第一电极层电连接；

位于部分所述第二电极层与所述密封衬底之间的键合层；

所述IPD滤波器通过所述第一通孔以及所述键合层上的凹槽与所述第二电极层电连接。