[发明专利]一种混合滤波器

权利要求书

1.一种混合滤波器，其特征在于，所述混合滤波器包括：声学谐振器和IPD滤波器；

所述声学谐振器包括相对设置的基底和密封衬底，以及位于所述基底和所述密封衬底之间的第一功能膜层；

所述IPD滤波器位于所述密封衬底背离所述基底的一侧；

所述密封衬底具有第一通孔，所述IPD滤波器通过所述第一通孔与所述声学谐振器电连接。

2.根据权利要求1所述的混合滤波器，其特征在于，所述声学谐振器为表面波谐振器或体波谐振器或薄膜体声波谐振器。

3.根据权利要求1所述的混合滤波器，其特征在于，所述IPD滤波器包括：

用于形成无源组件的多层第二功能膜层，所述多层第二功能膜层位于所述密封衬底背离所述基底的一侧，且在第一方向上依次叠层设置；所述第一方向垂直于所述基底所在平面，且由所述基底指向所述密封衬底；

相邻两层所述第二功能膜层之间设置有介质层；

相邻两层所述第二功能膜层之间通过贯穿所述介质层的通孔电连接。

4.根据权利要求3所述的混合滤波器，其特征在于，所述无源组件包括电感、电容和电阻。

5.根据权利要求1所述的混合滤波器，其特征在于，所述基底的中间区域具有凹槽；

所述第一功能膜层包括：在第一方向上依次层叠设置的第一电极层、压电层和第二电极层；所述第一方向垂直于所述基底所在平面，且由所述基底指向所述密封衬底；

所述第一电极层在所述基底上的正投影完全覆盖所述凹槽在所述基底上的正投影；

所述第二电极层通过贯穿所述压电层的通孔与所述第一电极层电连接；

位于部分所述第二电极层与所述密封衬底之间的金属键合层；

所述IPD滤波器通过所述第一通孔与所述金属键合层电连接。

6.根据权利要求1所述的混合滤波器，其特征在于，所述第一功能膜层包括：

围绕所述基底边缘区域设置的支撑层；

在第一方向上依次层叠设置的第一电极层、压电层和第二电极层；所述第一方向垂直于所述基底所在平面，且由所述基底指向所述密封衬底；在所述第一方向上，所述第一电极层与所述基底之间存在间隔；

所述第二电极层通过贯穿所述压电层的通孔与所述第一电极层电连接；

位于部分所述第二电极层与所述密封衬底之间的键合层；

所述IPD滤波器通过所述第一通孔以及所述键合层上的凹槽与所述第二电极层电连接。

7.根据权利要求5或6所述的混合滤波器，其特征在于，所述声学谐振器还包括：MIM电容和/或MOM电容；

所述MIM电容基于所述第一电极层、所述压电层和所述第二电极层形成；

所述MOM电容基于所述第一电极层和所述压电层形成，或基于所述第二电极层和所述压电层形成。

8.根据权利要求1所述的混合滤波器，其特征在于，所述基底为压电基底；

所述第一功能膜层包括：

围绕所述压电基底边缘区域设置的支撑层；

第一电极层，以及位于部分所述第一电极层背离所述压电基底一侧的第二电极层，以及位于部分所述第一电极层和部分所述第二电极层之间的桥接层；

所述IPD滤波器通过所述第一通孔以及所述支撑层上的凹槽与所述第二电极层电连接。

9.根据权利要求8所述的混合滤波器，其特征在于，所述声学谐振器还包括：MIM电容和/或MOM电容；

所述MIM电容基于所述第一电极层、所述桥接层和所述第二电极层形成；

所述MOM电容基于所述第一电极层和所述压电基底形成。