[发明专利]TOF传感器以及终端设备在审

专利信息
申请号: 202310189255.6 申请日: 2023-03-01
公开(公告)号: CN116299329A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 黄卫东;毛信贤;裴振伟;王玉鹏 申请(专利权)人: 歌尔微电子股份有限公司
主分类号: G01S7/481 分类号: G01S7/481;G01S7/483;G01S17/10
代理公司: 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 代理人: 杨璐
地址: 266101 山东省青岛市崂*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: tof 传感器 以及 终端设备
【权利要求书】:

1.一种TOF传感器,其特征在于,包括基板(1)以及设于所述基板(1)上的发光芯片(2)和ASIC芯片(3),且所述ASIC芯片(3)包括像素阵列区域(301);

所述像素阵列区域(301)上叠设有超透镜(4);

所述基板(1)上设置有封装结构(5),所述封装结构(5)包括外壳和设于所述外壳内的隔断(501),所述隔断(501)将所述封装结构(5)的内腔分隔成第一腔体及第二腔体,所述超透镜(4)位于所述第一腔体内,所述发光芯片(2)位于所述第二腔体内,所述第一腔体内设置有第一透光体(502),且所述第一透光体(502)用以密封所述第一腔体,所述第二腔体内设置有第二透光体(503),且所述第二透光体(503)用以密封所述第二腔体;

所述封装结构(5)的顶部开设有第一通孔和第二通孔,所述第一通孔与所述第一腔体连通,所述第一通孔内设有滤光元件(6),所述第二通孔与所述第二腔体连通,所述第二通孔内设有散光元件(7)。

2.根据权利要求1所述的TOF传感器,其特征在于,所述像素阵列区域(301)包括多个单光子雪崩二极管,且每个所述单光子雪崩二极管能够接收相应的信息,所述多个单光子雪崩二极管接收的信息经累积后可形成3D图像。

3.根据权利要求1所述的TOF传感器,其特征在于,所述封装结构(5)通过注塑的方式成型并固定设置在所述基板(1)的一侧。

4.根据权利要求1所述的TOF传感器,其特征在于,所述ASIC芯片(3)上设置有发光检测器件(302),所述发光检测器件(302)与所述发光芯片(2)共同位于所述第二腔体之内;

所述发光检测器件(302)能够接收部分从所述第二透光体(503)反射的激光,用以对所述发光芯片(2)的工作状态进行检测。

5.根据权利要求1所述的TOF传感器,其特征在于,所述发光芯片(2)为VCSEL芯片,所述VCSEL芯片发射的激光能够透过所述第二透光体(503)并射入所述散光元件(7)。

6.根据权利要求5所述的TOF传感器,其特征在于,在所述TOF传感器的厚度方向上,所述VCSEL芯片与所述散光元件(7)为相对设置,且所述超透镜(4)与所述滤光元件(6)为相对设置。

7.根据权利要求1所述的TOF传感器,其特征在于,所述超透镜(4)的尺寸大于所述像素阵列区域(301)的尺寸,所述超透镜(4)在所述ASIC芯片(3)上的投影能完全覆盖所述像素阵列区域(301)。

8.根据权利要求1所述的TOF传感器,其特征在于,所述第一透光体(502)及所述第二透光体(503)的材质为玻璃材料;

所述第一透光体(502)通过第一密封胶(10)粘接固定在所述第一腔体之内且填充满所述第一腔体,并可用于支撑所述滤光元件(6);

所述第二透光体(503)通过第二密封胶(11)粘接固定在所述第二腔体之内且填充满所述第二腔体,并可用于支撑所述散光元件(7)。

9.根据权利要求1所述的TOF传感器,其特征在于,所述封装结构(5)的外壳和隔断(501)均为不透光材质。

10.根据权利要求1所述的TOF传感器,其特征在于,所述散光元件(7)为散光片,所述散光元件(7)的表面具有微纳结构;

所述滤光元件(6)包括红外滤光片。

11.根据权利要求1所述的TOF传感器,其特征在于,所述ASIC芯

片(3)的周侧设置有多个第一电容器件(8);且/或,

所述发光芯片(2)的周侧设置有多个第二电容器件(9)。

12.一种终端设备,其特征在于,所述终端设备包括:

如权利要求1-11中任一项所述的TOF传感器。

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