[发明专利]一种上下耦合超宽带高隔离度可调带通滤波器

权利要求书

1.一种上下耦合超宽带高隔离度可调带通滤波器，包括滤波器本体（1），所述滤波器本体（1）内设置有滤波器工作部（2），其特征在于，所述滤波器工作部（2）内设置有至少三个谐振腔，且所述谐振腔通过耦合带线传递微波信号，所述谐振腔中用于接收微波信号的谐振腔和用于输出微波信号的谐振腔分别位于滤波器工作部（2）内的两侧，其余谐振腔在用于接收微波信号的谐振腔和用于输出微波信号的谐振腔之间；

每个所述谐振腔内均设置有基板和YIG薄膜结构，所述YIG薄膜结构固定于基板上，所述YIG薄膜结构正面设置有正面耦合带线组，YIG薄膜结构背面设置有背面耦合带线组，且通过YIG薄膜结构正面设置的正面耦合带线组、背面设置的背面耦合带线组，形成带线上下耦合型结构，正面耦合带线组中带线与背面耦合带线组中带线交叉点投影位于YIG薄膜结构上。

2.根据权利要求1所述的一种上下耦合超宽带高隔离度可调带通滤波器，其特征在于，所述滤波器工作部（2）内设置有四个谐振腔，每个所述谐振腔内均设置有基板，所述YIG薄膜结构固定于基板上，四个所述谐振腔分别为第一谐振腔（3）、第二谐振腔（4）、第三谐振腔（5）和第四谐振腔（6），且第一谐振腔（3）、第二谐振腔（4）、第三谐振腔（5）和第四谐振腔（6）相互隔离，所述第一谐振腔（3）用于接收微波信号，第四谐振腔（6）用于输出微波信号。

3.根据权利要求2所述的一种上下耦合超宽带高隔离度可调带通滤波器，其特征在于，所述第一谐振腔（3）内设置有第一YIG薄膜结构（14），第二谐振腔（4）内设置有第二YIG薄膜结构（15），第三谐振腔（5）内设置有第三YIG薄膜结构（16），第四谐振腔（6）内设置有第四YIG薄膜结构（17），所述基板包括第一基板（18）和第二基板（21），所述第一基板（18）设于第一谐振腔（3）和第二谐振腔（4）内，且第一YIG薄膜结构（14）和第二YIG薄膜结构（15）均位于第一基板（18）上，所述第二基板（21）设于第三谐振腔（5）和第四谐振腔（6）内，且第三YIG薄膜结构（16）和第四YIG薄膜结构（17）均位于第二基板（21）上。

4.根据权利要求3所述的一种上下耦合超宽带高隔离度可调带通滤波器，其特征在于，所述正面耦合带线组包括输入带线（7）、输出带线（8）和第一耦合带线（9），所述背面耦合带线组包含第二耦合带线（10）和第三耦合带线（11）。

5.根据权利要求4所述的一种上下耦合超宽带高隔离度可调带通滤波器，其特征在于，所述输入带线（7）位于第一YIG薄膜结构（14）的上方，输入带线（7）一端与设于滤波器本体（1）内的输入同轴线（12）连接，输入带线（7）另一端接地。

6.根据权利要求4所述的一种上下耦合超宽带高隔离度可调带通滤波器，其特征在于，所述输出带线（8）位于第四YIG薄膜结构（17）的上方，输出带线（8）一端与设于滤波器本体（1）内的输出同轴线（13）连接，输出带线（8）另一端接地。

7.根据权利要求4所述的一种上下耦合超宽带高隔离度可调带通滤波器，其特征在于，所述滤波器工作部（2）内设置有第二方槽（23）和第三方槽（24），所述第二方槽（23）靠近第二谐振腔（4），所述第三方槽（24）靠近第三谐振腔（5），所述第一耦合带线（9）位于第二YIG薄膜结构（15）和第三YIG薄膜结构（16）的上方，第一耦合带线（9）两端接地，并分别位于第二方槽（23）和第三方槽（24）内，第一耦合带线（9）依次从第二方槽（23）与第二谐振腔（4）间的第二窄槽（27）、第二谐振腔（4）和第三谐振腔（5）间的第一凹槽（30）、第三谐振腔（5）与第三方槽（24）间的第三窄槽（28）穿过。

8.根据权利要求4所述的一种上下耦合超宽带高隔离度可调带通滤波器，其特征在于，所述第二耦合带线（10）位于第一YIG薄膜结构（14）和第二YIG薄膜结构（15）的下方，第二耦合带线（10）电镀在第一基板（18）背面。