[发明专利]一种基于进水混合与全域溶解氧控制的氧化沟工艺在审
申请号: | 202310180947.4 | 申请日: | 2023-02-28 |
公开(公告)号: | CN116253429A | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 宗渝;王首俣 | 申请(专利权)人: | 四川悦承环保节能科技有限公司 |
主分类号: | C02F3/12 | 分类号: | C02F3/12 |
代理公司: | 深圳腾文知识产权代理有限公司 44680 | 代理人: | 刘洵 |
地址: | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 进水 混合 全域 溶解氧 控制 氧化 工艺 | ||
本申请公开了一种基于进水混合与全域溶解氧控制的氧化沟工艺,用于加快新进的污水与泥水混合物的混合,提高污水处理效率。本申请包括:沿污水流动方向依次连通的氧化沟设施及沉淀池,氧化沟设施中设置有回型廊道,回型廊道内设置有穿墙回流泵,回型廊道的底部设置有全域的曝气装置,氧化沟工艺包括以下步骤:根据预处理水中的污染物信息设置对应的停留时间、回流比数值以及培养对应的生化细菌;将预处理水引入氧化沟设施的穿墙回流泵处,通过穿墙回流泵将预处理水与回型廊道内的泥水混合物共同混合再推往回型廊道,在回型廊道中除去污染物后引入沉淀池中进行处理,沉淀池中的上层清液经处理达标后进行排放,下层剩余污泥则引入污泥池中处理。
技术领域
本申请涉及污水处理技术领域,尤其涉及一种基于进水混合与全域溶解氧控制的氧化沟工艺。
背景技术
氧化沟是一种活性污泥处理系统,其曝气池呈封闭的沟渠型,是一种首尾相连的循环流曝气沟渠,又称循环曝气池,常见的氧化沟处理工艺如奥贝尔氧化沟、帕斯维尔氧化沟、卡鲁塞尔氧化沟等。
氧化沟污水处理工艺的整个过程如进水、曝气、沉淀、污泥稳定和出水等全部集中在氧化沟内完成,其中,氧化沟内有污泥与生化细菌混合的泥水混合物,污水在氧化沟中循环流动时,通过泥水混合物中含有的生化细菌对污水中的污染物进行除去;而在进水过程中,现有技术的进水方式为直接进水,即在氧化沟上设置有特定的进水口,氧化沟内原有的泥水混合物保持一定的速度流动,污水通过进水口直接流入氧化沟中并与正在流动的泥水混合物混合,污水随着泥水混合物一起沿着氧化沟上的沟渠流动。
但是,氧化沟内的泥水混合物与新进的污水之间存在密度、流动的不同,所以现有技术中直接进水的方式容易出现新进污水与泥水混合物之间相互分层的现象,新进的污水与泥水混合物之间需要较长的时间才能充分混合,不利于生化细菌与新进的污水之间的接触,从而降低了污水处理的效率。
发明内容
为了解决上述技术问题,本申请提供了一种基于进水混合与全域溶解氧控制的氧化沟工艺,使得加快新进的污水与泥水混合物的混合,提高污水处理效率。
本申请提供了一种基于进水混合与全域溶解氧控制的氧化沟工艺,包括:
沿污水流动方向依次连通的氧化沟设施及沉淀池,所述氧化沟设施中设置有回型廊道,所述回型廊道内设置有穿墙回流泵,所述回型廊道的底部设置有全域的曝气装置;
所述氧化沟工艺具体包括以下步骤:
S1:将污水经过预处理后得到预处理水,并检测预处理水中含有的污染物信息,根据所述污染物信息设置预处理水的停留时间、回流比数值以及在所述回型廊道内的泥水混合物中培养对应的生化细菌;
S2:将预处理水引入所述氧化沟设施的穿墙回流泵处,通过所述穿墙回流泵将预处理水与强制抽取的泥水混合物混合并推往所述回型廊道,通过所述曝气装置控制所述回型廊道中的溶解氧浓度范围在0~0.8mg/L之间;
S3:按照所述回流比数值调整所述穿墙回流泵以及所述曝气装置的运行状态,控制预处理水在所述氧化沟设施中循环流动所述停留时间,通过所述生化细菌除去预处理水中的污染物后得到一级处理水;
S4:通过溢流的方式将一级处理水引入所述沉淀池中,通过混凝沉淀及过滤的方式形成上层清液与下层污泥,将上层清液进行消毒处理,处理达标后进行排放,并将下层污泥引入污泥池中处理。
可选的,在步骤S4中,在所述通过混凝沉淀及过滤的方式形成上层清液与下层污泥之前,所述氧化沟工艺还包括:
检测并判断一级处理水中是否存在剩余的污染物,若存在,则根据剩余的污染物往所述沉淀池中添加药剂,所述药剂用于将剩余的污染物去除。
可选的,在步骤S1中,所述检测预处理水中含有的污染物信息包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川悦承环保节能科技有限公司,未经四川悦承环保节能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310180947.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光电检测电路
- 下一篇:一种E-HEMT外延片及其制备方法