[发明专利]一种用于调试磁控溅射法制备的薄膜均匀性的方法

权利要求书

1.一种用于调试磁控溅射法制备的薄膜均匀性的方法，其特征在于，包括：

S1、准备基底；

S2、采用磁控溅射法在基底表面溅射镀所需厚度的薄膜；

S3、测试所制备的薄膜电阻均匀性，制备电阻分布图；

S4、根据电阻分布图改变靶基距，若电阻分布为中间低、四周高时，则降低靶基距,电阻分布为中间高、四周低时，则增大靶基距；

S5、更换新的基底，重复步骤S2，并测试制备的所需厚度的薄膜的电阻均匀性；

S6、根据步骤S3和S5得到的电阻均匀性、目标电阻均匀性及步骤S4靶基距的调节值计算出下一次靶基距的调节值并调节靶基距；

S7、重复步骤S5，若所测试的电阻均匀性达到目标电阻均匀性范围，则对应的靶基距即可用于后续磁控溅射法生产薄膜；若所测试的电阻均匀性仍无法达到目标电阻均匀性范围要求，则继续重复步骤S6和S5，直至确认所制备的所需厚度薄膜的电阻均匀达到目标电阻均匀性范围，从而确定采用磁控溅射法生产薄膜的靶基距。

2.如权利要求1所述的用于调试磁控溅射法制备的薄膜均匀性的方法，其特征在于，步骤S4中，第一次靶基距的调节值为1-5mm。

3.如权利要求1所述的用于调试磁控溅射法制备的薄膜均匀性的方法，其特征在于，步骤S6中，设靶基距的调节的次数为第n次，其中n≥2，则

第n次靶基距的调节值=[（Rs_n-1-Rs）/(Rs_n-2-Rs_n-1)]*第n-1次靶基距的调节值，

其中，Rs为目标电阻均匀性，Rs_n-1、Rs_n-2分别为第n-1次、第n-2次测量的电阻均匀性，其中Rs₀为第一次调节靶基距前制备的薄膜电阻均匀性。

4.如权利要求1或2所述的用于调试磁控溅射法制备的薄膜均匀性的方法，其特征在于，所述所需厚度的薄膜的厚度为5.0nm-1.0μm。

5.如权利要求1或2所述的用于调试磁控溅射法制备的薄膜均匀性的方法，其特征在于，步骤S1中，所述基底准备包括：准备洁净的基底材料，并在所述基底材料表面镀衬底层。

6.如权利要求5所述的用于调试磁控溅射法制备的薄膜均匀性的方法，其特征在于，通过PECVD的方式镀衬底层；所述衬底层为氧化硅衬底层、氮化硅衬底中的至少一种；所述基底材料为硅片、玻璃、陶瓷或塑料材质。

7.一种采用磁控溅射法大规模生产薄膜材料的方法，其特征在于，在进行大规模生产薄膜材料前，还包括采用如权利要求1-6任意一项所述的方法来确定合适的靶基距。