[发明专利]温度传感器的校准方法、装置、计算设备以及存储介质在审
| 申请号: | 202310162692.9 | 申请日: | 2023-02-16 |
| 公开(公告)号: | CN116519167A | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
| 发明(设计)人: | 伍晨;王洁;黄欢欢;李成昆;周明忠 | 申请(专利权)人: | 阿里巴巴(中国)有限公司 |
| 主分类号: | G01K15/00 | 分类号: | G01K15/00 |
| 代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 孟超 |
| 地址: | 311121 浙江省杭州市余杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 温度传感器 校准 方法 装置 计算 设备 以及 存储 介质 | ||
本发明提供一种温度传感器的校准方法、装置、计算设备以及存储介质。温度传感器设置于一芯片内,温度传感器的校准方法包括以下步骤:设置所述芯片分别处于多个工作模式;获取每一所述工作模式下的外部参考温度、所述芯片的功耗值以及所述温度传感器的温度测量值;计算所述温度传感器的所述温度测量值与所述外部参考温度的温度误差;对所述温度误差、所述功耗值进行拟合处理,并得到一拟合曲线;根据所述拟合曲线校准所述温度传感器。通过本发明的校准方法,能到消除芯片功耗对温度传感器校准精度的影响,得到精确的校准结果。
技术领域
本发明是有关于一种温度传感器的校准方法,且特别是有关于一种对芯片内温度传感器提升校准精度的校准方法、装置、计算设备以及存储介质。
背景技术
在现有的大规模集成电路,例如处理器(CPU、GPU、RISC-V)中,通常会集成有温度传感器以检测处理器的发热、散热等性能参数。
温度传感器性能的评估必须使处理器进入超低功耗工作模式,不然自身发热会影响温度校准结果。现有的处理器中均含有大量的数字电路,处理器芯片上电后,哪怕进入低功耗,尚存在一定功耗,导致内部发热较严重,无法评估温度传感器的真实性能,使得校准存在一定误差,影响了测试/校准结果。
而且,现有芯片的设计、生产过程中,大多会采用多项目晶圆(MPW:multi projectwafer)的模式,多项目晶圆通常应用于集成电路内核(IP)、模块或单元等在设计阶段的实验、测试,能够减少成本,降低开发风险。因此,在MPW阶段难以做到芯片的极低功耗(50mW以内),导致MPW阶段无法评估温度传感器的真实性能。
因此,如何提供一种能够消除自身功耗的影响,提升温度传感器校准精度的方法,实为需要解决的问题之一。
发明内容
本发明的实施例提供一种温度传感器的校准方法、装置、计算设备以及存储介质,可以消除自身功耗的影响,提升温度传感器的校准精度。
本发明一实施方式的温度传感器的校准方法,所述温度传感器设置于一芯片内,其特征在于,包括以下步骤:设置所述芯片分别处于多个工作模式;获取每一所述工作模式下的外部参考温度、所述芯片的功耗值以及所述温度传感器的温度测量值;计算所述温度传感器的所述温度测量值与所述外部参考温度的温度误差;对所述温度误差、所述功耗值进行拟合处理,并得到一拟合曲线;根据所述拟合曲线校准所述温度传感器。
上述的校准方法,其中,所述拟合曲线呈一线性关系,所述线性关系为:Terr=a*P+b,其中,Terr为所述温度误差,P为所述芯片的所述功耗值,a、b为常数。
上述的校准方法,其中,所述校准所述温度传感器的步骤进一步包括:
根据所述常数b对所述温度传感器进行校准。
上述的校准方法,其中,所述校准方法进一步包括:
根据所述拟合曲线,对所述温度传感器的所述温度测量值进行补偿。
上述的校准方法,其中,所述外部参考温度为一恒定温度,所述恒定温度通过将芯片设置于温箱或油箱中所提供。
上述的校准方法,其中,所述多个工作模式包括多个功耗模式,每一所述功耗模式为所述芯片工作于一设定的功耗。
本发明一实施方式的温度传感器的校准装置,所述温度传感器设置于一芯片内,包括:模式设置单元,用于将所述芯片设置为分别处于多个工作模式;数据获取单元,用于获取每一所述工作模式下的外部参考温度、所述芯片的功耗值以及所述温度传感器的温度测量值;运算单元,用于计算所述温度传感器的所述温度测量值与所述外部参考温度的温度误差;拟合单元,用于对所述温度误差、所述功耗值进行拟合处理,并得到一拟合曲线;校准单元,用于根据所述拟合曲线校准所述温度传感器。
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