[发明专利]供能装置及换流阀在审

专利信息
申请号: 202310158615.6 申请日: 2023-02-23
公开(公告)号: CN116169892A 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 周晨;刘磊;张翔;谢晔源;董云龙;卢宇;方太勋;李海英 申请(专利权)人: 南京南瑞继保电气有限公司;南京南瑞继保工程技术有限公司;常州博瑞电力自动化设备有限公司
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217;H02M3/335;H02M1/00;H02J3/38;H02J3/36
代理公司: 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 代理人: 武玉琴;何春晖
地址: 211102 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 装置 换流
【说明书】:

本申请提供一种供能装置及换流阀。所述供能装置包括阻尼电路、整流电路、电压限幅单元、第一二极管、第一电容、直直隔离单元和第二电容,其中:所述阻尼电路的一端连接所述整流电路的第一输出端;所述电压限幅单元与所述整流电路并联;所述第一二极管的阳极连接所述整流电路的第一输出端,阴极连接所述第一电容的一端,所述第一电容的另一端连接所述整流电路的第二输出端;所述直直隔离单元与所述第一电容并联;所述第二电容与所述直直隔离单元的输出端并联;所述第二电容的输出端作为所述供能装置的正输出端和负输出端,所述负输出端与所述整流电路的第二输入端连接。

技术领域

本申请涉及电力电子技术领域,具体而言,涉及一种供能装置及换流阀。

背景技术

近年来,为解决直流输电工程逆变侧换相失败问题,一些专家学者提出基于晶闸管、IGCT、IGBT等功率半导体器件混合串联的电网换相换流阀,使电网换相换流阀具备强制换相能力。

但是,换流阀电压等级高,晶闸管、IGCT、IGBT等功率半导体器件串联应用时,驱动模块的供能问题是一大难点,尤其是IGCT驱动需要更大的驱动能量。

因此,需要提出一种供能装置及换流阀,解决功率器件串联应用的高电位自取能问题。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本申请的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

为了解决上述问题,本申请提出一种供能装置及换流阀。

根据本申请的第一方面,提出一种供能装置,所述供能装置包括阻尼电路、整流电路、电压限幅单元、第一二极管、第一电容、直直隔离单元和第二电容,其中:

所述阻尼电路的一端连接所述整流电路的第一输出端;

所述电压限幅单元与所述整流电路并联;

所述第一二极管的阳极连接所述整流电路的第一输出端,阴极连接所述第一电容的一端,所述第一电容的另一端连接所述整流电路的第二输出端;

所述直直隔离单元与所述第一电容并联;

所述第二电容与所述直直隔离单元的输出端并联;

所述第二电容的输出端作为所述供能装置的正输出端和负输出端,所述负输出端与所述整流电路的第二输入端连接。

根据一些实施例,所述阻尼电路包括:

串联连接的电阻和电容;或者

电阻与二极管并联后与电容串联的组合。

根据一些实施例,所述整流电路包括第一开关、第二开关、第三开关和第四开关,其中:

所述第一开关与所述第三开关串联后,与所述电压限幅单元并联连接,所述第一开关与所述第三开关的串联中点为所述第一输入端;

所述第二开关与所述第四开关串联后,与所述电压限幅单元并联连接,所述第二开关与所述第四开关的串联中点为所述第二输入端;

所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关和所述第四开关包括至少一级功率半导体器件,所述功率半导体器件包括二极管、晶闸管、IGBT、MOSFET中的至少一种。

根据一些实施例,所述电压限幅单元包括稳压管和晶闸管,其中:

所述晶闸管与所述全桥整流电路并联;

所述稳压管的阴极与所述整流电路的第一输出端连接,阳极与所述晶闸管的门极控制端连接。

根据一些实施例,所述直直隔离单元包括第五开关、第六开关、第三二极管、第四二极管、变压器、第五二极管,其中:

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