[发明专利]供能装置及换流阀

权利要求书

1.一种供能装置，其特征在于，所述供能装置包括阻尼电路、整流电路、电压限幅单元、第一二极管、第一电容、直直隔离单元和第二电容，其中：

所述阻尼电路的一端连接所述整流电路的第一输出端；

所述电压限幅单元与所述整流电路并联；

所述第一二极管的阳极连接所述整流电路的第一输出端，阴极连接所述第一电容的一端，所述第一电容的另一端连接所述整流电路的第二输出端；

所述直直隔离单元与所述第一电容并联；

所述第二电容与所述直直隔离单元的输出端并联；

所述第二电容的输出端作为所述供能装置的正输出端和负输出端，所述负输出端与所述整流电路的第二输入端连接。

2.如权利要求1所述的供能装置，其特征在于，所述阻尼电路包括：

串联连接的电阻和电容；或者

电阻与二极管并联后与电容串联的组合。

3.如权利要求1所述的供能装置，其特征在于，所述整流电路包括第一开关、第二开关、第三开关和第四开关，其中：

所述第一开关与所述第三开关串联后，与所述电压限幅单元并联连接，所述第一开关与所述第三开关的串联中点为所述第一输入端；

所述第二开关与所述第四开关串联后，与所述电压限幅单元并联连接，所述第二开关与所述第四开关的串联中点为所述第二输入端；

所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关和所述第四开关包括至少一级功率半导体器件，所述功率半导体器件包括二极管、晶闸管、IGBT、MOSFET中的至少一种。

4.如权利要求1所述的供能装置，其特征在于，所述电压限幅单元包括稳压管和晶闸管，其中：

所述晶闸管与所述全桥整流电路并联；

所述稳压管的阴极与所述整流电路的第一输出端连接，阳极与所述晶闸管的门极控制端连接。

5.如权利要求1所述的供能装置，其特征在于，所述直直隔离单元包括第五开关、第六开关、第三二极管、第四二极管、变压器、第五二极管，其中：

所述第五开关与所述第三二极管的串联支路与所述第一电容并联，

所述第四二极管与所述第六开关的串联支路与所述第一电容并联；

所述第五开关与所述第三二极管的串联支路的中点连接所述变压器初级线圈的一端，所述第四二极管与所述第六开关的串联支路的中点连接所述变压器初级线圈的另一端；

所述变压器次级线圈的一端与所述第五二极管的阳极连接；

所述第二电容的一端与所述第五二极管的阴极连接，另一端与所述变压器次级线圈的另一端连接。

6.如权利要求5所述的供能装置，其特征在于，所述第五开关和所述第六开关中的任一者包括IGBT、MOSFET中的至少一种。

7.如权利要求1所述的供能装置，其特征在于，所述电压限幅单元的限制电压设置为10V至100V。

8.如权利要求1所述的供能装置，其特征在于，所述正输出端和所述负输出端的电压范围为10V至50V。

9.一种换流阀，其特征在于，包括：

多个串联连接的功率半导体器件；

多个如权利要求1-8中任一项所述的供能装置，用于为所述功率半导体器件的驱动提供能量；

各所述供能装置分别与所述功率半导体器件并联：各功率半导体器件的一端连接各供能装置中的所述阻尼电路的另一端，另一端连接所述第二输入端。

10.如权利要求9所述的换流阀，其特征在于，所述功率半导体器件包括晶闸管、IGBT、IGCT、GTO中的至少一种。