[发明专利]一种基于BiCMOS工艺的MLVDS接收器电路

说明书

本发明涉及一种基于BiCMOS工艺的MLVDS接收器电路，包括共模变换电路、预放大电路、type1和type2控制电路、迟滞比较器电路和差分转单端电路。共模变换电路对宽共模范围的输入信号进行压缩处理；预放大电路识别并放大压缩后的差分信号；type1和type2控制电路控制MLVDS接收器的工作模式；迟滞比较器在对差模信号放大的同时引入了迟滞功能，实现对差模噪声的抑制，提供电路抗干扰能力；差分转单端电路完成差分信号到单端信号的转换。本发明提供的一种基于BiCMOS工艺的MLVDS接收器电路，该电路通过BiCMOS工艺实现，通过电阻分压网络可以实现宽共模范围的输入，同时实现type1和type2两种工作模式，满足MLVDS标准要求。

技术领域

本发明涉及一种MLVDS接收电路，特别是一种基于BiCMOS工艺实现的接收器电路，属于高速接口电路设计领域。

背景技术

LVDS通过使用低摆幅差分信号技术，使得信号可以在差分PCB线或平衡双绞线上高速传输，因其具备抗干扰能力强，功耗低、可靠性高、传输速率快等优势在点对点之间数据传输领域得到广泛应用。然而LVDS不适用于总线多点应用，为满足多点系统间通信的需求在LVDS的基础上衍生了MLVDS技术。

为适应总线应用，MLVDS协议要求接收器接收信号的共模范围为-1.4V～3.8V，该电压范围已经超过了MOS管或BJT管的正常工作范围，因此必须设计相应分压网络，将-1.4V～3.8V的电压转换为内部电路可识别的电压范围。

MLVDS协议要求接收器具有两种工作模式，type1模式为标准工作模式可以对差分阈值大于50mV的差分电压进行判别，type2模式相对type1模式有100mV的偏移，可以实现MLVDS接收器的失效保护功能。

发明内容

本发明的目的在于：克服现有技术的不足，提供一种基于BiCMOS工艺的MLVDS接收器电路。该电路可以将宽共模范围的电压压缩至内部电路可识别范围，type1和type2控制电路可以实现接收器工作模式的控制。

本发明目的通过如下技术方案予以实现：

一种基于BiCMOS工艺的MLVDS接收器电路，包括共模变换电路、预放大电路、type1和type2控制电路、迟滞比较器电路和差分转单端电路；

共模变换电路：对宽共模范围的差分输入信号进行压缩处理，使其能够被预放大电路识别；

预放大电路：识别前级被压缩后的差分信号，将被压缩差分信号幅值放大至压缩前幅值；

type1和type2控制电路：通过控制内部选择器选通实现差分信号偏移，从而控制MLVDS接收器的工作模式；

迟滞比较器电路：通过引入迟滞实现对差模噪声的抑制；

差分转单端电路：完成差分信号到单端信号的转换，实现信号输出。

进一步的，所述共模变换电路包括电阻R1、R2、R3、电容C1、C2和C3；电阻R1的一端、电阻R2的一端和电阻R3的一端连接在一起，作为共模变换电路的输出端OUT；电阻R1的另一端连接输入信号IN，电阻R2的另一端连接电源VDD，电阻R3的另一端接地；电容C1、C2、C3分别与电阻R1、R2和R3并联连接。

进一步的，R1、R2、R3均为kΩ级别电阻，R2：R3：R1＝1:2:3。

进一步的，经共模变换后输出的电压V_O：

其中，V_I为输入电压、V_DD是指电源VDD的电压。

进一步的，所述预放大电路包括电阻R4、R5、R6、NPN型晶体管Q1、Q2、Q3；